《电磁场理论》教案2.pptVIP

第二章 恒定电场;其中θ代表矢量J与矢量dS的交角。通过面积S的电流是上式的 积分 I=∫Sδ·dS 电流密度决定于电荷密度和运动速度。不同的电荷分布运动时， 所形成的电流密度具有不同的表达式： 体电流密度矢量 J=ρv (A/m2) 面电流密度矢量 K=σv (A/m) 线电流 I=τv (A) 如有元电荷dq以速度v运动，则dqv这一量的单位为库仑·米/秒= 安培·米，我们称之为元电流段。相应地，可以得到作不同分布 的元电荷运动后形成的元电流段。在以后的讨论中，我们常常 要用到元电流段的概念。元电流段有下列不同形式：;vdq JdV KdS Idl; 导电物质中的电流场是消耗能量的，我们也可求得一个表示 消耗功率的场函数。在电流场中取一段长度为dl，截面为dS的 圆状体积元，可认为其上电流密度是均匀的。假若静电场将这体 元中的电荷dq在dt时间内搬运出这体积元，也就是使dq移过dl的 路程，所作的功即转化为热能消耗。设体积元两端的电压差为 dU，则静电场所作的功 dA =dUdq =dUdI dt =E·dl J·dSdt=E·J dV dt;此即焦耳定律的微分形式。不论场是否均匀，都能适用。电路理 论中的焦耳定律由它积分而得。; ε=∫lEe·dl; 我们要研究的恒定电场有两种情况：一种是导电媒质中的恒 定电场；另一种是通有恒定电流的导电媒质周围介质中的恒定电 场。后一种是我们要着重讨论的问题。;§2-3 恒定电场的基本方程· 分界面上的衔接条件;上式称为电流连续性方程。把它用到电路的节点，则有：; 若积分路线经过了电源，考虑到局外场后;由高斯散度定理;　　将恒定电场积分形式的基本方程应用到电导率为γ1、γ2的 边界处的小区域内，并趋近于边界取极限，得到恒定电场的边界 条件为：;　　当第一种媒质γ1为良导体，第二种媒质γ2为不良导体时， 因γ1＞＞γ2，故有：;对于理想介质一侧，虽然 E1n=J1n/γ1=0，但E2n≠0。 因为J2=γ2E2，γ2=0， J2=0，所以E2不一定等于 0。根据静电场理论，分 界面上应满足D2n－D1n=σ D1n=ε1E1n=0，所以，σ= D2n=ε2E2n。说明在导体与 理想介质分界面上有面电荷 分布。;⑷两种有损介质分界面上的衔接条件; 根据 的特点，可引入电位函数。在均匀介质中， 电位应满足拉普拉斯方程; 例2-1 长直接地金属槽，底面、侧面电位均为零，顶盖电 位为 。求槽内导电媒质中的电位分布。; 由边界条件⑴和⑷，在解的表达式中，需选择在x=0和x=a 处都为0的函数，故应取x的周期函数，y的双曲函数。因此， φ(x,y)的通解为;再由边界条件⑷得;因此，电位的通解简化为;;§2-4导电媒质中的恒定电场与静电场的比拟 　　通过前面的讨论，我们发现，导电媒质中的恒定电场（电 源外）与电介质中的静电场（体电荷密度ρ=0的区域）在许多 方面有相似之处。为了清楚起见，列表比较如下：;表2-1恒定电场与静电场的比较;边界条件;　　由表2-1可以看出，两种场的基本方程是相似的，只要把 J与D，γ与ε相互置换，一个场的基本方程就变为另一个 场的基本方程了。特别是两种场的电位函数有相同的定义，而 且都满足拉普拉斯方程。如果矢量J和D分别在导电媒质和电 介质中满足相同的边界条件（即两种场内导体电极的形状、尺 寸、相对位置和相应导体电极上的电位都相同），则根据唯一 性定理，这两个场的电位函数必有相同的解。也就是说，两种 场的等位面分布相同，恒定电场的电流线与静电场的电位移线 分布相同。这样的对比和分析，给我们一个重要的启示，即在 相同的边界条件下，如果通过实验或计算已经得到了一种场的 解，只要按表2-1将对应的物理量置换一下，就能得到另一种场 的解。;恒定电场与静电场的区别;　　在许多实际问题中，金属电极之间，如电容器的两极板间、 同轴电缆的芯线与外壳之间等，常常需要填充绝缘材料，虽然其 电导率都远远小于金属材料的电导率，但毕竟不等于零。因此， 在电极板间加上直流电压时，总会有微小的电流通过绝缘材料。 这种电流叫做漏电流。电流I与两极的电压U之比值叫做漏电导， 即：;　　绝缘电阻可用下面的三种