模拟电子技术43节讲述.ppt

4.3 双极型三极管;1. 晶体管的结构和类型;1. 晶体管的结构和类型;1. 晶体管的结构和类型;1. 晶体管的结构和类型;2. 晶体管的电流分配关系和放大作用 ;共射接法。;⑴ 晶体管内部载流子的运动;⑵ 晶体管的电流分配关系;⑵ 晶体管的电流分配关系;系数 代表iB对iC的控制作用的大小， 越大，控制作用越强。;⑶ 晶体管的放大作用;⑷ 关于PNP型晶体管;3. 晶体管的特性曲线;μA;⑴ 共射输入特性 ;输入特性有以下几个特点： ; uCE增加，特性曲线右移。 uCE的大小影响基区内集电结边界电子的分布。 uCE≥1V以后，特性曲线几乎重合。 uCE≥1V以后，基区中集电结边界处的电子浓度很低。 与二极管的伏安特性相似 uBEUr 时，iB =0； Ur =0.5V (Si) Ur =0.1V (Ge) 正常工作时 uBE=0.7V (Si) uBE= 0.2V (Ge);c;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;4. 晶体管的主要参数;⑴ 电流放大系数 ;⑴ 电流放大系数 ;表示集电极负载短路（即uCE保持不变）的条件下，集电