GaN蓝光LED半导体芯片制备与相关工艺的精编.docVIP

湖南大学半导体与工艺加工课程论文  PAGE \* MERGEFORMAT 17 HUNAN UNIVERSITY 课 程 论 文 论文题目GaN蓝光LED半导体芯片制备与相关工艺的研究学生姓名 樊超学生学号201211010104专业班级应用物理班学院名称应用物理与微电子科学学院指导老师姚凌江 2015年7月1日 目录 摘要3 ABSTRACT4 绪论5 1.1 LED概述5 1.1.1LED芯片的研究意义5 1.1.2氮化物蓝光LED芯片5 1.2 GaN蓝光LED研究现状7 1.2.1提高GaN蓝光LED电光转换效率的方法7 1.2.2表面粗化技术8 1.2.3透明电极技术9 LED 芯片制备关键技术及相关设备10 2.1 光刻技术10 2.1.1光刻工艺基本流程10 2.1.2光刻胶11 2.1.3光刻机12 2.2 薄膜沉积13 2.2.1 PECVD 沉积薄膜原理13 2.2.2 PECVD 薄膜生长速率及薄膜性质14 总结与展望15 参考文献16 摘要 GaN材料为直接带隙、宽禁带半导体材料,具有优良的的光、电与热传导特性,因此适合作为短波长光电元件的材料。自1993年第一只商业化GaN/InGaN蓝光LED问世以来,GaN基发光器件的研究与应用一直是全球研究的前沿和热点。近年来通过涂覆荧光粉,GaN蓝光LED实现了白光发射,被应用于固态照明领域。照明用电占整个社会电力消耗的20%,为了实现绿色照明,要求GaN蓝光LED具有更高的电 光转换效率。 影响LED的电光转换效率的因素包括LED的内量子效率以及芯片光提取效率。随着外延技术的发展,目前GaN/InGaN LED的内量子效率已经超过80%。但是,由于GaN具有高的折射率(2.3),理论上当周围环境为空气时,由于GaN和空气之间的全反射效应,GaN中仅有4% 的光能够出来,这严重降低了 LED芯片的光提取效率。 GaN发光材料的制备主要方法包括在GaN衬底的同质外延,以及在蓝宝石、SiC和Si基板上的异质外延。由于体块GaN难以生长,GaN衬底价格非常昂贵,仅在科研领域有使用。蓝尘石凭借低廉的衬底价格、成熟的外延技术吸引了绝大部分的科研工作者以及LED生产厂商。SiC衬底由于具有小的晶格失配度和高的热导率,也在LED领域占有一席之地,但SiC衬底的价格相对较高,Cree公司凭借自己在SiC单晶生长方面的优势,是现在市场上唯一能够大量提供SiC衬底GaN LED芯片的厂家,SiC衬底GaN LED的技术也大部分被Cree公司垄断。 ABSTRACT GaN material is direct band gap and wide band gap semiconductor material with excellent optical, electrical and thermal conduction properties. It is suitable to fabricate short-wavelength optoelectronic devices. Since the first commercial GaN /InGaN blue LED came on the market in 1993, GaN-based light-emitting devices and their applications have been global research hotspot. In recent years, through the phosphor coating, GaN blue LEDs have achieved white light emission, and has been used in the field of solid-state lighting. Electricity for lighting accounts for 20% of the power consumption of the whole society. In order to achieve the green lighting requirements, high bright GaN LED with higher photoelectric conversion efficiency is demanded. Internal quantum efficiency and chip light extraction efficiency are the main f