第二章半导体中的杂质和缺陷精编.pptVIP

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2016-07-27 发布于湖北
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第二章半导体中的杂质和缺陷精编.ppt

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第二章半导体中的杂质和缺陷;;2 杂质晶格位置; （2）替位式(substitutional)--杂质原子取代晶格原子而位于格点位置;; 例如：Si 室温下本征载流子浓度为1010/cm3 掺入B (NA=1016/cm3) Si的原子浓度为1022～1023/cm3 B原子的浓度/Si原子的浓度=10-6 受主向价带提供的载流子 1016～1017/cm3＞＞1010/cm3; （2）施主杂质：杂质电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。;;概念汇总;;;; 例：n型半导体（低温弱电离区）;问题：如果在半导体中掺入施主杂质后，又继续掺入等量受主杂质，则导电性会产生什么样的变化？;杂质补偿应用：根据需要用扩散或离子注入方法来改变半导体某一区域的导电类型，以制成各种器件。;（5）等电子杂质：杂质原子与半导体原子具有同数量价电子。 ;4 杂质的能级特性;浅能级杂质电离能的计算;和实际相比，类氢模型只是粗糙的近似;类氢模型不精确的原因;（2）深能级杂质：杂质的施主能级距离导带底较远，或受主能级距离价带顶也较远，这种能级为深能级，相应杂质为深能级杂质。;在Ge中掺入Au Au的电子组态是：5s25p65d106s1;5 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质;;;7 半导体中的缺陷;;; 位错什么情况下为施主，什么情况下为受主，对半导体电学性能会产生什么样的影响？