2半导体基础探析.pptVIP

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第一章 半导体器件;1.第一代电子器件——电子管 1906年,福雷斯特(Lee De Fordst)等发明,可实现整流、稳压、检波、放大、振荡等多种功能电路。 电子管体积大、重量重、寿命短、耗电大。世界上第一台计算机用1.8万只电子管,占地170m2,重30t,耗电150kW。;2.第二代电子器件——晶体管(半导体三极管 1948年,肖克利(W.Shckly)等发明,在体积、重量等方面性能优于电子管。 但是,由成百上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多,可靠性差。;3.第三代电子器件——集成电路(IC) 1958年,基尔白等设想将管子、元件和线路集成封装在一起,三年后,集成电路实现了商品化。 IC按集成度分: (1)小规模IC(SSI)<102 (2)中规模IC (MSI)<103 (3)大规模IC (LSI)<105 (4)超大规模IC (VLSI)>105;关键词:“管为路用” ;第一节 半导体的基础知识;二、本征半导体:;本征半导体;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。;1、锗、硅原子结构: ;结论; 2、几个概念:; 本征激发和复合的过程;;结 论:;三、杂质半导体;请见下图的杂质半导体的结构 ;;;杂质半导体的示意表示法:;结论;;小结

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