第七章金属-半导体接触精编.ppt

第七章 金属和半导体的接触 ; 1、金属半导体接触及其能级图;;金属的功函数Wm;;半导体的功函数Ws;;p型半导体：;n型半导体：;设想有一块金属和一块n型半导体，并假定 金属的功函数大于半导体的功函数，即：;;Vs为表面势;半导体中的电子;金属与n型半导体接触 接触电势差Vs=Ws-Wm WmWs→形成表面势垒 势垒区电子浓度比体内小得多 →高阻区(阻挡 层)。 界面处的势垒通常称为肖特基势垒。;若WmWs;金属与n型半导体接触时;金属与p型半导体接触时，若WmWs，能带向 上弯曲，形成P型反阻挡层。;;（3）表面态对接触势垒的影响 ;这说明：;从能带的角度进行解释基本概念：;表面态在半导体表面禁带中形成一定的分布;;表面态密度很大时;（1）流入金属的电子并不是来自于半导体体内， 而是由受主表面态提供 (2) 半导体的表面态可屏蔽金属接触的作用， 使半导体内的势垒高度和金属的功函数几乎无关。 （3）接触电势差全部降落在两个表面之间。;;整流理论-阻挡层 平衡态阻挡层—无净电流;以n型半导体为例： 阻挡层为高阻区域 —外加电压主要降落在阻挡层 平衡态时：表面势VS0 势垒高度qVD=-qVs 外加正电压：V0 则势垒高度降低为qVD，=-q(Vs+V) 外加一个负电压V0 ，势垒高度增加 ;外加电压下，平衡状态被打破，金属半导体没有 统一的费米能级。;（2）理论解释 ①扩散理论 对于n型阻挡层，当势垒的宽度远大于电子平均自由程，电子通过势垒区发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。-------------扩散理论适用于厚阻挡层。 势垒区存在电场，有电势变化，载流子浓度不均匀。 计算通过势垒的电流时， 必须同时考虑漂移和扩散运动。 势垒区的电势分布是比较复杂的,当势垒高度远大于k0T时，势垒区可近似为一个耗尽层。;耗尽层中，载流子极少，杂质全电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。;当外加电压V和表面势Vs 符号相同时，不仅势垒 高度增加，且宽度也相应 增加，势垒宽度也称为 势垒厚度。 这种厚度依赖于外加电压的 势垒称作肖特基势垒。;;扩散理论适用于 载流子迁移率小 （平均自由程较短） 的半导体—氧化亚铜; ②热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度时--------扩散理论不适用，电子在势垒区的碰撞可以忽略。 势垒形状不再重要----------势垒的高度起绝对作用。 电流的计算归结为计算超越势垒高度的载流子数目。;; ③镜像力和隧道效应的影响;若电子距金属表面的距离为x，则它与感应正电荷之间的吸引力，相当于该电子与位于(–x)处的等量正电荷之间的吸引力，这个正电荷称为镜像电荷。;+;把电子从x点移到无穷远处，电场力所做的功;qΔΦ;电势能在 xm 处出现极大值，这个极大值发生在作用于电子上的镜像力和电场力相平衡的地方，即;势垒顶向内移动，并且引起势垒的降低 q ? ? 。;不考虑镜像力的影响时;（2）隧道效应的影响;隧道效应引起的势垒降低为;④肖特基势垒二极管;; 3 少数载流子的注入与欧姆接触;空穴的浓度在表面最大; 空穴电流的大小，首先决定于阻挡层中的空穴浓度。只要势垒足够高，靠近接触面的空穴浓度就可以很高。;如果在接触面附近，费米能级和价带顶的距离;势垒中空穴和电子所处的情况几乎完全相同，只是空穴的势垒顶在阻挡层的内边界。;上图说明这种积累的效果显然是阻碍空穴的流动。因此，空穴???电流贡献的大小还决定于空穴进入半导体内扩散的效率。;②欧姆接触;;思考题：;