3-真空蒸发法探析.ppt

第三章真空蒸发镀膜法;本章主要内容;真空蒸发的基本情况（原理）; ;真空蒸发的基本原理;真空蒸发的衬底材料;真空蒸发的设备介绍;镀膜机内部结构示意图 ;真空规读数;DM-300镀膜机 ;镀膜机真空室内部结构;;各种加热器形状;多源加热器;徐闰 2006 冬;热蒸发的物理特性;饱和蒸汽压 (PV); ;饱和蒸汽压与温度的关系;饱和蒸汽压与温度的关系;随气压的减小，物质的蒸发要比常压下容易得多，所需蒸发温度也大大降低;热蒸发法中的物理;蒸发材料表面液相和气相处于动态平衡，达到液相表面的分子全部粘接而不脱离，与从液相到气相的分子数相等，则分子蒸发速率可用赫兹－克努森－朗缪尔公式(Hert-Knudsen-Langmuir law)表示;质量蒸发速率;真空室内存在二种粒子，一种是蒸发物的原子或分子；另一种是残余气体分子（这些残余气体分子会对薄膜的形成过程乃至薄膜的性质产生影响） 在残余气体压强为10-5torr时，气体分子与蒸发物质原子几乎按1：1的比例达到基板表面 要获得高纯度的薄膜，必须要求残余气体的压强非常低;薄膜中残余气体的影响;蒸发材料分子在残余气体中飞行，这些粒子在不规则的运动状态下，相互碰撞，又与真空室壁相撞，改变了原有的运动方向并降低了其运动速度，粒子在二次碰撞之间飞行的平均距离称为蒸发分子的平均自由程 当P 10-6 Torr时，λ 真空室尺寸，蒸汽分子不和其他分子碰撞蒸汽分子将沿直线轨道前进，这是主要的蒸发过程 在真空条件下，大部分的蒸发分子几乎不发生碰撞而直接达到基板表面;N0个蒸发分子飞行距离x后，未受到残余气体分子碰撞的数目 被碰撞的分子的百分数;不同蒸发法的性质;蒸发源的类型;;电阻法-电阻加热蒸发装置特点;电子束法-蒸发原理;电子束蒸发-特点;优点： (1)电子束轰击热源的束流密度高，能量密度远大于电阻加热，可使高熔点材料蒸发，且有较高的蒸发速率 (2)由于被蒸发材料是置于水冷坩锅内，因而可避免容器材料的蒸发及它们之间的反应。有利于提高镀膜的纯度 (3)热量可直接加热到蒸镀材料的表面。热传导和热辐射损失少 缺点：（1）电子枪结构复杂，成本高 （2）电子束轰击膜材，将激发出许多有害的散射电子，反射电子，背散射电子和二次电子等，影响膜层质量。但通过合理设计可避免，如e型极 （3）加速电压过高时产生的软X射线对人体有伤害;电子束法-电子蒸发源的形式;e型电子枪的工作原理;电子枪;高频感应蒸发-工作原理;特点： (1)蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍左右 (2)蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象 (3)蒸发源一次装料，无需送料机构 (4)温度控制较容易，操作比较简单 （5）蒸发材料是金属时，蒸发材料可产生热量。坩锅可选用和蒸发材料反应最小的材料 缺点: 蒸发装置必须屏蔽，并需要较复杂和昂贵的高频发生器 如果线圈附近的压强超过10-2 Pa，高频场就会使残余气体电离，使功耗增大;1969年，美国贝尔实验室的J. R. Arthur 和 A. Y. Cho发明的;分子束外延-工作原理 在超高真空条件下，将薄膜组分元素的分子束流，直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延层的技术 分子束外延在不同的半导体材料中应用很广，如: i) Group IV elemental semiconductors like Si, Ge, and C ii) III-V-semiconductors: arsenides (GaAs, AlAs, InAs), antimonides like GaSb(锑) and phosphides like InP iii) II-VI- semiconductors: ZnSe, CdS, and HgTe ;薄膜技术与应用;激光蒸镀法-原理和结构示意图;薄膜技术与应用;脉冲激光沉积-特点和工作原理;脉冲激光沉积-仪器及内部结构;强流脉冲离子束沉积-特点和工作原理;强流脉冲离子束沉积-结构示意图;强流脉冲电子束沉积-特点和工作原理;其他的蒸发法;不同蒸发源的蒸发特性;薄膜技术与应用;定义：能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状源 dm=md?/4? 根据计算，基板上任意一点的膜厚 ; 点源的正上方，即o点处的膜厚t0为： t0为在基板平面上所能得到的最大膜厚;二、小平面蒸发源; 点源的正上方，即o点处的膜厚t0为： t0为在基板平面上所能得到的最大膜厚;淀积膜厚在平面上的分布；注意二个问题：1，t0是刚好在蒸发源下面的厚度，2，接收表面是一个平面 从图上可知，二种源在基片上所沉积的膜层厚度很相似；在给定蒸发料，蒸发源和基板距离下