第三章二极管及其基本电路精编.pptVIP

第 3章 二极管及其基本电路 ;基本要求： 1、了解半导体材料的基本构成及 PN结的形成 2、掌握PN结的单向导电工作原理 3、了解二极管（包括稳压管）的 V-I特性及主要性能指标 4、掌握二极管电路的分析方法;重点： 二极管的基本电路及其分析方法 难点： 1、PN结的形成 2、小信号模型的理解;半导体的基本知识;半导体的共价键结构;本征半导体、空穴及其导电作用;电子空穴对;电子和空穴产生过程动画演示;杂质半导体;N型半导体形成过程动画演示;+4;P型半导体的形成过程动画演示;N型半导体的多数载流子为电子， 少数载流子是空穴； P型半导体的多数载流子为空穴， 少数载流子是电子。 ;PN结的形成及特性;PN结的形成;PN结形成过程动画演示;PN结的单向导电性;PN结正偏动画演示; 外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 ;PN结反偏动画演示;总之： PN结正向电阻小，反向电阻大 ——单向导电性。 ;半导体二极管; 二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。;半导体二极管的伏安特性曲线;(1) 正向特性;反向区也分两个区域：; 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 ;半导体二极管的参数;二极管基本电路分析;3. 折线模型（实际模型）;二极管电路分析;2.限幅电路;3.开关电路;例4：判别二极管是导通还是截止。;+ 18V -;例5： ;例5：;例6： 理想二极管电路中 vi=Vm sinωt（V），求输出波形v0。;例7：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。;例8：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。; 已知二极管D的正向导通管压降VD=0.6V，C为隔直电容，vi(t)为小信号交流信号源。 试求二极管的静态工作电流IDQ，以及二极管的直流导通电阻R直。 求在室温300K时，D的小信号交流等效电阻r交 。;例3： ;特???二极管;例：;(2) 动态电阻rZ ;作业： 3.4.3 3.4.4 3.4.5 3.4.7