第七章光刻工艺B精编.pptVIP

光刻工艺;四、光刻胶;2、正性光刻胶;感光机理：紫外照射后分解放出氮气，同时分子结构重 排，产生环的收缩，形成五环烯酮化合物，经水解生成 羧酸衍生物，在碱性水溶液中生成可溶性羧酸盐而溶 解，从而显出图形。;b. g line和i line: DQN正胶：酚醛树脂(N), 重氮萘醌(DQ)。;? PAC在紫外光作用下由油溶性光敏剂转变成在碱溶液中溶解 的水溶性物质(羧酸）。 ? 曝光后，曝光部分的树脂在碱溶液中溶解度大增，导致硅片 上产生光刻图形。;2）深紫外248nm KrF光刻胶;I 在曝光时光敏产酸物质(ＰＡＧ)分解出超强酸分子； II 曝光后烘烤提供反应和扩散能量，催化酸敏树脂侧链上的 不溶物分解，同时再产生酸分子。 III 催化剂在反应中可以循环使用,酸催化反应数量远大于光化 反应的数量。;d. CAR的特点;3、负性光刻胶;2) 常用负胶：;b. 聚烃类－双叠氮系光刻胶;基体树脂(聚对羟基苯乙烯或甲酚醛树脂),交联剂(六甲氧基 甲基三聚氰氨基ＨＭＭＭ),光敏产酸物(PAG，鎓盐).;4、光刻胶的性能指标;2）感光度和敏感度;影响因素： ? 胶自身性质； ? 光刻工艺条件：胶膜厚度,曝光剂量，前烘温度， 显影液成分等。;3）对比度γ;c. 影响因素： 显影过程、前烘、后烘、曝光辐照的波长、硅片表面 的反射率等。;4）吸收特性;a. 粘附性：光刻胶与衬底之间粘附的牢固程度。 影响因素：胶自身性质；衬底的性质及其表面状态。 b. 针孔密度：单位面积上的针孔数。 影响因素： 胶自身性质；环境洁净度。 c. 抗蚀性：能较长时间经受酸、碱的浸蚀和等离子体的作用。 影响因素：胶自身性质；光刻工艺条件。 d. 性能稳定性：暗反应和存储性能退化。 影响因素：胶自身性质和存储条件。;5、光刻的质量要求;(1) 光刻胶作为液体涂覆在硅片表面，各处厚度不同， 因局部过曝光和欠曝光而造成线宽发生变化。;■ 解决方法;(2) 表面反射造成的二次曝光;■ 解决方法;(3) 驻波效应;? 加抗反射层; ? 在g, i line胶中，加吸收染料； 或曝光后烘烤，使光敏化合 物分子扩散； ? 在DUV中，曝光后烘烤，光敏 产酸物分子扩散???;五、典型的光刻工艺流程;1、表面清洗和脱水烘烤;2、增黏处理;3、涂胶;(1) 胶厚和胶厚的均匀性是光刻工艺中的关键参数。 (2) 胶越厚，分辨率就越低。;4、前烘;5、对准与曝光;6、曝光后烘烤（PEB）;7、显影;8、后烘（坚膜）;1. 为什么光刻间通常采用黄光照明而洗印 照片的暗室中只能点小红灯？ 2. 与掩膜版图形相比较，对正性光刻胶过 度曝光会使产生的图形尺寸有何变化？负 性光刻胶呢？ 请结合图加以说明。