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5.??光电式传感器;一、光谱
光波:波长为10—106nm的电磁波
可见光:波长380—780nm
紫外线:波长10—380nm,
波长300—380nm称为近紫外线
波长200—300nm称为远紫外线
波长10—200nm称为极远紫外线,
红外线:波长780—106nm
波长3μm(即3000nm)以下的称近红外线
波长超过3μm 的红外线称为远红外线。
光谱分布如图所示。;远紫外;二、光源(发光器件)
1、钨丝白炽灯
用钨丝通电加热作为光辐射源最为普通,一般白炽灯的辐射光谱是连续的
发光范围:可见光外、大量红外线和紫外线,所以任何光敏元件都能和它配合接收到光信号。
特点:寿命短而且发热大、效率低、动态特性差,但对接收光敏元件的光谱特性要求不高,是可取之处。
在普通白炽灯基础上制作的发光器件有溴钨灯和碘钨灯,其体积较小??光效高,寿命也较长。 ;2、气体放电灯
定义:利用电流通过气体产生发光现象制成的灯。
气体放电灯的光谱是不连续的,光谱与气体种类及放电条件有关。改变气体的成分、压力、阴极材料和放电电流大小,可得到主要在某一光谱范围的辐射。
低压汞灯、氢灯、钠灯、镉灯、氦灯是光谱仪器中常用光源,统称为光谱灯。例如低压汞灯的辐射波长为254nm,钠灯的辐射波长为589nm,它们经常用作光电检测仪器的单色光源。如果光谱灯涂以荧光剂,由于光线与涂层材料的作用,荧光剂可以将气体放电谱线转化为更长的波长,目前荧光剂的选择范围很广,通过对荧光剂的选择可以使气体放电发出某一范围的波长,如,照明日光灯。
气体放电灯消耗的能量仅为白炽灯1/2—1/3。;3、发光二极管LED(Light Emitting Diode)
由半导体PN结构成,其工作电压低、响应快、寿命长、体积小、重量轻,因此获得广泛应用。
在半导体PN结中,P区的空穴由于扩散而移动到N区,N区的电子则扩散到P区,在PN结处形成势垒,从而抑制了空穴和电子的继续扩散。当PN结上加有正向电压时,势垒降低,电子由N区注入到P区,空穴则由P区注入到N区,称为少数载流子注入。所注入到P区里的电子和P区里的空穴复合,注入到N区里的空穴和N区里的电子复合,这种复合同时伴随着以光子形式放出能量,因而有发光现象。; 发光二极管的伏安特性与普通二极管相似,但随材料禁带宽度的不同,开启(点燃)电压略有差异。图为砷磷化镓发光二极管的伏安曲线,红色约为1.7V开启,绿色约为2.2V。; LED的光谱特性如图所示。图中砷磷化镓的曲线有两根,这是因为其材质成分稍有差异而得到不同的峰值波长λp 。除峰值波长λp决定发光颜色之外,峰的宽度(用Δλ描述)决定光的色彩纯度,Δλ越小,其光色越纯。;4、激光器
激光是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一,具有高方向性、高单色性和高亮度三个重要特性。激光波长从0.24μm到远红外整个光频波段范围。;三、光电效应
指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量,从而产生的电效应。光电传感器工作原理基于光电效应。
光电效应分外光电效应和内光电效应两大类
1、外光电效应
在光作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。;根据爱因斯坦假设,一个电子只能接受一个光子的能量,要使一个电子从物体表面逸出,必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功,超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物,从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过10-9s。
根据能量守恒定理
式中 m—电子质量;v0—电子逸出速度。 ;光电子能否产生,取决于光电子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功。不同物质有不同逸出功,即每个物体都有一个对应的光频阈值,称为红限频率或波长限。光频率低于红限频率,光子能量不足以使物体内的电子逸出,因而小于红限频率的入射光,光强再大也不产生光电子发射;反之,入射光频率高于红限频率,即使光微弱,也有光电子射出。; 当光照射在物体上,使物体的电阻率ρ发生变化,或产生光生电动势的现象叫做内光电效应,它多发生于半导体内。根据工作原理的不同,内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类:
(1) 光
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