CH1半导体基础探析.ppt

1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体管 1.4 场效应管;1.1 半导体器件的基本知识;1.1.1 本征半导体及其导电性;本征半导体的共价键结构;本征激发:室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 本征激发中自由电子与空穴总是成对出现 ;;本征半导体中有两种载流子： 带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴，数量少，导电性能差。 本征激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴又可能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自由电子和空穴维持一定的浓度。 温度变化引起本征激发变化，载流子浓度变化－热敏 光照改变引起本征激发变化，载流子浓度变化－光敏;1)掺入五阶元素---N型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。;;2) 掺入三阶元素--P型半导体;;无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 少数载流子是本征激发而产生的，其数量的多少决定于温度与光照。;杂质对半导体导电性的影响;1.1.3 PN结;一、 PN结的形成; 多子扩散;①外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。;②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流 IR，因为是少子漂移运动产生的， IR很小，这时称PN结处于截止状态。;PN结的单向导电性:;三、PN结的电流方程;;雪崩击穿：当反向电压足够高时（U6V）PN结中内电场较强，使参加漂移的载流子加速，与中性原子相碰，使之价电子受激发产生新的电子空穴对，又被加速，而形成连锁反应，使载流子剧增，反向电流骤增。 齐纳击穿：对掺杂浓度高的半导体，PN结的耗尽层很薄，只要加入不大的反向电压（U4V），耗尽层可获得很大的场强，足以将价电子从共价键中拉出来，而获得更多的电子空穴对，使反向电流骤增。;五、PN结的电容效应; (1) 势垒电容CB; 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。;1.2 半导体二极管;1.2.1 半导体二极管的结构类型; 图 01.11 二极管的结构示意图;1.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线;图 01.12 二极管的伏安特性曲线;(1) 正向特性;(2) 反向特性; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 ;1.2.3 半导体二极管的参数; (3) 反向电流IR;1.2.4 半导体二极管的等效模型;（3）折线模型：修正恒压降模型，认为二极管 的管压降不是恒定的，而随二极管的电流增加而 增加，模型中用一个电池和电阻 rD来作进一步 的近似，此电池的电压选定为二极管的门坎电压 Uth，约为0.5V，rD的值为200欧。由于二极管的 分散性，Uth、rD的值不是固定的。;二极管的动态电阻;半导体二极管的型号;半导体二极管图片;1.2.5 稳压二极管; 图 01.14 稳压二极管的伏安特性 ; 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。; (3) 最大耗散功率 PZM ——;(5)稳定电压温度系数——?UZ;;;有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光。;;晶体三极管有两大类型， 1.双极型三极管（BJT） 双极型三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。 2.场效应管（FET） 场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种UCCS器件。;1.3.1 晶体管的结构 1.3.2 晶体管电流的放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的参数 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1