复习半导体物理精编.pptVIP

半导体 集成电路;MOS晶体管的动作 ;VG=0 VS=0 VD=0;VGS0时，沟道出现耗尽区， 至VGS VTH时，沟道反型，形成了连接源漏的通路。;双极晶体管的单管结构及工作原理;N;正向工作区 发射结正偏，发射极发射电子，在基区中扩散前进，大部分被集电极反偏结收集： ( 接近于1） 具有电流放大作用： ;当发射结正偏（VBE0)，集电结也正偏（VBC0)时(但注意，VCE仍大于0)，为饱和工作区。;当VBC0 ， VBE0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约0.02）。;集成双极晶体管的有源寄生效应;双极集成电路等效电路;VBE;VEB_pnp=VBC_npn0;VEB_pnp=VBC_npn0;常用集成电阻器;氧化膜;集成电路中的无源元件2 电容;;;VBE;简易TTL与非门;简易TTL与非门;简易TTL与非门;A;有效低电平输出; 两管单元TTL与非门的静态特性-负载能力;A;A;A; 典型四管单元TTL与非门;A;A;A;5管单元TTL与非门电路;TTL与非门工作原理;? 输入端全为高电平;TTL与非门工作速度; MOS晶体管的电流-电压特性的经典描述： 萨氏方程 式中的