半导体纳米晶的化学合成探析.pptxVIP

;半导体纳米晶简介;半导体纳米材料 一般是指材料的尺寸在纳米范围内的半导体材料，其小于通常的粒子，而又大于原子簇，主要涉及的是Ⅱ-Ⅵ如CdSe 、Ⅲ-Ⅴ如InP、InAs 和GaAs 化合物以及Si/C等元素。 纳米晶 具有纳米尺度的晶体材料，原子、离子、分子等具有周期性的规则排列。;零维——半导体纳米点 一维——半导体纳米带、半导体纳米线、半导体纳米管 二维——半导体纳米薄膜 三维——块体材料;Ⅳ族半导体纳米晶 Si、C Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶 InAs、GaSb、InP Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶 CdSe、CdS、CuSe、ZnSe、ZnS Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米晶 AsTe、SbS3、AsS3 多元化合物半导体纳米晶 CuInSe2、CuInGaSe、CuInS2;;;二、半导体纳米晶的性质及应用;三、制备方法介绍;三、制备方法介绍;有无化学反应;四、化学合成方法;化学气相沉积（CVD ）方法目前被广泛的应用??纳米材料（薄膜材料）的制备，主要用于制备半导体、氮化物、碳化物纳米薄膜。;CuS和InCl3利用LP-MOCVD法制备的CuInS2;热壁外延法（Hot Wall Epitaxy HWE）是一种低成本、简捷方便的外延技术，在严格控制成核、生长条件以及近乎热平衡的条件下可获得高质量外延层，同时生长速率也较快。;四、化学合成方法 — 液相合成;四、化学合成方法 — 液相合成;Murray等首次以三辛基氧膦(TOPO)作溶剂， Cd(CH3)2作为镉源，(Si Me3)2Se和(SiMe3)2Te为硒源和碲源，于300oC反应得到了高结晶度、单分散的尺寸可控的CdSe和CdTe纳米晶。;;四、化学合成方法 — 液相合成;四、化学合成方法 — 液相合成;四、化学合成方法 — 液相合成;四、化学合成方法 — 液相合成;;;四、化学合成方法 — 液相合成;(3)电化学沉积;(3)电化学沉积;Journal of Physical Chemistry C.,?2012,?116, 2438;TiO2 NBs/Cu2S composites;