半导体物理(第八章)探析.pptVIP

第8章 半导体表面和MIS结构;本章重点：;§8.1 表面态; 在半导体表面，晶格不完整性使势场的周期性被破坏，在禁带中形成局部状态的能级分布（产生附加能级），这些状态称为表面态或达姆表面能级。 ;表面能级： 与表面态相应的能级称为表面能级。分布在禁带内的表面能级，彼此靠得很近，形成准连续的分布。;a;x≤0区的电子波函数为：; 对于硅表面态：表面最外层每个硅原子有一个未配对电子，有一个未饱和键，称为悬挂键，由于每平方厘米表面有1015个原子，相应悬挂键亦有1015个，这与实验测量值在量级上相符合。; 对于表面能级，和半导体内部杂质和缺陷能级相类似，也分为施主类型和受主类型，但对于其在禁带中的分布，目前还没有得出一致结论。;8.2表面电场效应8.2.1. 空间电荷层及表面势; 在外加电场作用下，在半导体的表面层内发生的 物理现象。;理???MIS结构; ; 首先，在空间电荷区内，从半导体的表面到体内，电场逐渐减弱，到空间电荷区的另一端，电场强度减小到零。;表面空间电荷区内能带的弯曲;表面势Vs ：称空间电荷层两端的电势差为表面势，以Vs表示之，规定表面电势比内部高时，Vs取正值；反之Vs取负值。;VG=0时,理想MIS结构的能带图;在金属和P型半导体间加上电压，则将会在半导体的表面层中产生空间电荷区;qVs;表面势及空间电荷区内电荷的分布情况，随金属与半导体间所加的电压VG变化，可分为：;（1）VG0 多子空穴的积累;;（a）能带向上弯曲，EV接近甚至高过费米能级EF；;特征：半导体表面能带平直。;①表面能带向下弯 曲； ②表面上的多子浓 度比体内少得多， 基本上耗尽，表面 层负电荷基本等于 电离受主杂质浓度。 ;;能带进一步下弯 1）在表面处EF可能高于中间能级Ei，EF离Ec更近；;;金属与半导体间加负压，多子堆积;n型半导体;二、表面空间电荷层的电场、电势和电容; p型硅中，|QS| 与表面势Vs的关系;规定x轴垂直于表面指向半导体内部，表面处为x轴原点。 采用一维近似处理方法,空间电荷层中电势满足泊松方程 ; 设半导体表面层仍可以使用经典分布，则在电势为V的x点（半导体内部电势为0），电子和空穴的浓度分别为 ;在半导体内部，电中性条件成立，故 即 带入泊松方程可得 ;上式两边乘以dV并积分，得到 ;德拜长度;在表面处V=Vs，半导体表面处电场强度;带入可得 当金属电极为正，即Vs0，Qs用负号；反之Qs用正号。可以看出，表面空间电荷层的电荷面密度QS随表面势VS变化，正体现出MIS结构的电容特性。 ;在单位表面积的表面层中空穴的改变量为 因为;考虑到x=0，V=Vs和x=∞，V=0，则得 ;表面处单位面积微分电容 单位F/m2。 ;8.2.3 各种表面层状态下的电容情况;（2）平带状态;（3）耗尽状态（耗尽层）;代入泊松方程求解，得到： 电势分布 令x=0表面势 其中的xd为空间电荷区宽度，若已知表面势VS，可求出电荷区宽度为;（4）少数载流子反型状态（反型层， VG＞0 ）;②强反型层出现的条件：当Ｐ型衬底表面处的电子 浓度等于体内的多子空穴浓度时。;当半导体表面进入强反型时，即当VS=2VB时金属板上加的电压习惯上称为开启电压，以VT表示，该电压由绝缘层和半导体表面空间电荷区共同承担，即 其中V0是落在绝缘层上的电压降，2VB是落在空间电荷区的电压降，也就是表面势。(注意：开启电压的求法） 对于弱反型和强反型，空间电荷区的电场、电荷面密度及电容公式有一些区别，讨论如下：;弱反型时：空间电荷层的电场、电荷密度公式与多子耗尽时相似，F函数简化为：;到达强反型之后，当表面势VS比2VB大的多时，F函数简化为： 此时，电场、面电荷密度及表面空间电荷层电容分别为：; 此外，需要注意的是一旦出现强反型，表面耗尽层宽度就达到一个极大值xdm，不再随外加电压的增加而继续增加，利用耗尽层近似的方法求出最大宽度：;⑸深耗尽状态;8.3.1 理想MIS结构的C-V特性;上式说明，MIS结构电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷层电容的串联，其等效电路如图。 ;8.3.2 理想MIS结构的低频C-V特性;MIS结构的微分电容公式:;⒈多子堆积状态：VG0 VS0 当负偏压较大时，上式指数项远小于1,(C/Co)→1, MIS结构的电容呈现为Co，如图中AB段所示。;⒉平带状态，VG=0, VS=0 归一化平带电容（把LD代入后） 由MIS结构的参数εrs、εr0、NA、d0，就可以 估算出平带电容的大小。 ;⒊多子耗尽状态及弱反型时：VG0, 0VS 2VB (C/Co)随表面势VS或栅极电压VG的变化关系为 ;⒋表面强反型时： VS2VB