半导体物理学-第1章探析.pptVIP

雷天民 西Ⅱ-206 leitianmin@163.com;第一章 半导体的物质结构和能带结构;§1.1 半导体中的晶体结构;§1.1 半导体中的晶体结构;§1.1 半导体中的晶体结构; 2、闪锌矿结构和混合键 III-V族化合物半导体绝大多数具有闪锌矿结构。 闪锌矿结构由两类原子各自组成的面心立方晶胞沿立方体的空间对角线滑移了1/4空间对角线长度套构成的。每个原子被四个异族原子包围。 ;§1.1 半导体中的晶体结构;二、杂化轨道理论简介;§1.1 半导体中的晶体结构;§1.1 半导体中的晶体结构;§1.1 半导体中的晶体结构;（3）sp3杂化;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;E(k)-k关系;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;说明： 1）零势场中，自由电子的能量 E 是波矢 k 的单值函数，且可随 k 值连续、单调变化。 ;§1.2 半导体中的电子状态与能带;§1.2 半导体中的电子状态与能带;一、半导体中的载流子; 在允带中的状态全部被电子填充的情况下，由于 E(k) 函数的中心对称性，对应于同一个能量总存在两个波矢分别为k和 -k 的电子。其速度大小相等方向相反，因而总电流密度;2、导电靠的是非满带;3、近满带和空穴; 3、引入空穴的意义： 可将价带大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达出来。;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中载流子的有效质量;§1.3 半导体中电子的运动;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.4 半导体中的杂质和缺陷能级;§1.5 典型半导体的能带结构;§1.5 典型半导体的能带结构;§1.5 典型半导体的能带结构;§1.5 典型半导体的能带结构;§1.5 典型半导体的能带结构;§1.5 典型半导体的能带结构;导带极小值：有三个极小值，一个在? (k=0)处，为球形等能面，电子有效质量为0.067 m0 ；在 L 和X 处还各有一个极小值，为椭球等能面，电子有效质量分别为0.55m0和0.85m0。 价带极大值：位于布里渊区的中心，球形等能面，有两个价带，重空穴有效质量为0.45m0，轻空穴有效质量为0.082m0 。;§1.5 典型半导体的能带结构;§1.5 典型半导体的能带结构;§1.5 典型半导体的能带结构;§1-6 半导体能带工程概要;§1-6 半导体能带工程概要;§1-6 半导体能带工程概要;§1-6 半导体能带工程概要;§1-6 半导体能带工程概要;§1-6 半导体能带工程概要;作业：4、6、9、11