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由电场引起的载流子运动称为漂移运动。μ称为迁移率，单位cm2/Vs。它是温度和掺杂浓度的函数。迁移率是半导体的一个重要参数，它描述了粒子在电场作用下的运动情况。
在半导体上加较小的电场就能获得很大的漂移电流密度。从此例可知，在非本征半导体中，漂移电流密度基本上取决于多数载流子。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;加反偏电压使空间电荷区增大，反偏电压越大，空间电荷区宽度越宽；加正偏电压使空间电荷区宽度变窄，电压越大，空间电荷区宽度越窄。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;为什么缩小MOSFET尺寸？
1.提高集成度：同样功能所需芯片面积更小
2.提升功能：同样面积可实现更多功能
3.降低成本：单管成本降低
4.改善性能：速度加快，单位功耗降低;阈值反型点条件：
表面势=2倍的费米势，表面处的空穴浓度=体内的电子浓度，栅电压=阈值电压
此刻的空间电荷区的厚度最大;*
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