半导体镀膜工艺探析.ppt

镀膜工艺;基本概念;真空;1.真空的定义 真空的含义是指在给定的空间内低于一个大气压力的气体状态，是一种物理现象。 ;2.真空的计量单位;3.真空区域的划分;4.如何产生真空;5.使用真空的目的;等离子体;1.什么是等离子体 在一定条件下气体电离出的自由电子总的负电量与正离子总的正电量相等．这种高度电离的、宏观上呈中性的气体叫等离子体。 电离产生的等离子体往往包含离子、电子、激发状态的原子、分子、分子分解而成的活性基、各种分子簇……这些粒子在等离子体中相互碰撞。 等离子为物质的第四种形态（气体，液体，固体） ;2.常见的等离子体 日常生活中遇到的闪电和极光，太阳，日光灯等都是等离子体 ;3. 等离子体的产生 ;4.气体分子数与离化几率的关系 ;5. 等离子体的特点;6. 等离子体在半导体中的应用 ;物??成膜;物理成膜;;;;磁控溅射是在溅射镀膜的基础上增加磁性偏转，增加束缚电子运动路径， 提高气体的离化率，实现溅射镀膜效率的提高 主要应用在制备高附着力、同时对轻微原子损伤无要求的膜;溅射途径由主要靠等离子体溅射转为主要靠外加离子束来溅射，因此可以 避免由于电子附着基材，造成基材的高温由于需要高真空，所以沉积的膜 较等离子溅射镀膜更纯。 可以应用在制备膜成分控制力强（高纯度、多元化），多层次，重复性好 适用与各种薄膜的沉积。;脉冲激光光束聚焦在固体靶面上，激光超强的功率使得靶物质快速等离子化，然后溅镀到目标物上。;简介离子镀;简介分子束外延MBE;镀膜方式的对比;化学沉积; 化学合成方法;履带式APCVD装置 ;LPCVD装置示意图;3.等离子化学沉积PECVD;4.有机金属化学沉积MOCVD;5.原子层沉积ALD;热氧化;电镀;END