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第 三 章;Oxidation氧化;简介;Oxidation;氧化膜的应用;掺杂阻挡氧化层;表面钝化(保护)氧化层;Screen Oxide;Pad and Barrier Oxides in STI Process;Application, Pad Oxide;牺牲氧化层 Sacrificial Oxide;器件隔离氧化层;Blanket Field Oxide Isolation;LOCOS Process;LOCOS;栅氧化层;氧化膜(层)应用;Silicon Dioxide Grown on Improperly Cleaned Silicon Surface;表面未清洗硅片的热氧化层;氧化前圆片清洗;RCA清洗;Pre-oxidation Wafer Clean Particulate Removal;被氧化的硅片上有机物的清除;无机物的清洗;Pre-oxidation Wafer Clean Native Oxide Removal;Oxidation Mechanism;Oxide Growth Rate Regime;100 Silicon Dry Oxidation;水汽氧化(Steam Oxidation）;100 Silicon Wet Oxidation Rate;湿氧氧化(Wet Oxidation);氧化速率;氧化速率与温度;氧化速率与圆片晶向;湿氧氧化速率;氧化速率与杂质浓度;氧化：杂质堆积和耗尽效应;Depletion and Pile-up Effects;氧化速率与HCl掺杂氧化;氧化速率与不均匀氧化;在干氧中的氧???速率;在合成水汽中的氧化速率;二氧化硅色谱;氧化工艺;Dry Oxidation System;氧化装置系统;Dry Oxidation;Dangling Bonds and Interface Charge;Wet Oxidation Process;Water Vapor Sources;Boiler System;Bubbler System;Flush System;Pyrogenic Steam System;Pyrogenic System;Rapid Thermal Oxidation;High Pressure Oxidation;氧化小结
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