半导体集成电路第3部分38837307探析.pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
单晶生长;主要内容;硅晶体结构的特点;硅、锗、砷化镓电学特性比较;硅、锗、砷化镓电学特性比较;硅、锗、砷化镓电学特性比较;硅作为电子材料的优点;硅晶胞:金刚石结构的立方晶胞;硅晶向、晶面和堆积模型;硅晶面;硅晶面;单晶体与多晶体;硅单晶;磷化铟单晶;砷化镓单晶 ;SiC单晶 ;SiC单晶(续);单晶的外延生长;单晶的外延生长(续);单晶的外延生长(续);单晶的外延生长(续);单晶的外延生长(续);单晶的外延生长(续);单晶的外延生长(续);单晶的外延生长(续);单晶的外延生长(续);单晶的外延生长(续);单晶外延操作工艺;单晶外延操作工艺;单晶外延操作工艺;性能指标评估;性能指标评估;晶格缺陷;性能指标评估;直拉法生长单晶;直拉法单晶生长原理图;生长过程;直拉法单晶生长过程;籽晶;晶体的缺陷处理;直拉法解决途径;止于颈部边缘的位错;速度与缺陷;单晶硅锭中氧??分的解决;单晶硅锭中氧成分的解决(续);加磁场的直拉系统;热梯度对熔料的影响;熔料中环流的形成;熔融液体对对流花样的贡献;GaAs生长系统;两种GaAs生长系统比较;LEC拉制晶体技术;液封直拉系统原理图;GaAs晶锭位错处理;Bridgman法生长GaAs;Bridgman法生长GaAs(续);水平Bridgman法生长系统原理图;Bridgman法的改进;Bridgman法的改进(续);区熔法单晶生长;区熔法单晶生长;区熔提炼系统;不同生长技术获得的载流子浓度;区熔提炼系统改进;区熔法单晶生长的参杂技术;冷坩埚法;冷坩埚法(续);晶圆制备;晶圆制备(续)

文档评论(0)

a336661148 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档