半导体二极管和三极管探析.ppt

第1章 半导体二极管和三极管;1.1 半导体基础知识; ;晶体中原子的排列方式; 2. 本征半导体的导电机理; 2. 本征半导体的导电机理; Si; Si;注意：(1) 本征半导体中的载流子数目极少, 其导电性能很差。 (2) 温度对半导体器件性能影响很大。; 当半导体两端加上外电压时，其将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流; 掺杂五价元素后自由电子数目大量增加，成为多数载流子，空穴是少数载流子。这种半导体主要靠自由电子导电, 称N型半导体。;N型半导体形成过程动画演示; 掺杂三价元素后空穴数目大量增加,成为多数载流子,自由电子是少数载流子。空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为P型半导体。;P型半导体的形成过程动画演示; 杂质半导体对外不显电性,是中性的。; 1. PN结的形成; ;2. PN结的单向导电性;PN 结变窄;（2）PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;1.1.4 PN 结的电容效应;2. 扩散电容;问题;2.2 半导体二极管;2.2.1 半导体二极管的几种常见结构;点接触型：结面积小，结电容小，允许的正向电流小，最高工作频率高。用于检波和变频等高频电路。;面接触型：结面积大，结电容大，允许的正向电流大，最高工作频率低。用于工频大电流整流电路。;材料;材料;3. 伏安特性受温度影响;2.2.3 二极管的主要参数;2.2.4 二极管基本电路及其分析方法; 当正向工作的二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个动态电阻，也就是微变等效电路。;思考2;理想模型;π;例2：电路如图, 二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当uI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压uO的波形。 ;解：;例4：电路如图所示，求：UAB;解:取 B 点作参考点，断开二极管，分析管子阳极和阴极的电位。; 对于二极管电路, 可采用相对较复杂的非线性电路的分析方法。图解分析法则较简单, 但必须已知管子 u-I 特性曲线。;UZ;(1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作在反向击穿时管子两端的电压。;把一只?ｕ为正的 管子与另一只?ｕ 为负的管子串联;1.3 晶体三极管; 1.3.1 晶体管的结构和类型;基极;基区：最薄， 多子浓度最低;1. 晶体管放大的外部条件;1.3.2 晶体管的放大原理;1.3.2 晶体管的放大原理;3.晶体管内部载流子的运动规律;N; 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。;uCE=0V;2. 输出特性;β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ?;iB=0;iB=0;iB=0;晶体管的三个工作区域;共射直流电流放大系数;集电极基极间反向截止电流ICBO;（1）集电极最大允许电流 ICM;1.3.4 晶体管的主要参数;ICUCE=PCM;双极型三极管的参数;1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响;1. 温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。; 根据所使用的半导体材料不同，分为锗晶体管和硅晶体管；按工作电流大小，分为小、中、大功率管；按工作频率范围，分为低频、高频、超高频管；按封装形式，分为塑封晶体管和金属封装晶体管；按用途不同，分为放大管、开关管等。