半导体总复习-2012探析.ppt

总复习;§ 1.1 半导体的晶体结构和结合性质 § 1.2 半导体电子状态与能带 § 1.3 半导体电子运动 有效质量 § 1.4 半导体中载流子的产生 导电机构 § 1.5 Si、Ge、GaAs的能带结构;§ 1.1 半导体的晶体结构和结合性质;金刚石型结构——混合键;金刚石结构;闪锌矿结构和混合键 ;GaAs闪锌矿结构;纤锌矿型结构;电子的共有化运动 导带、价带、禁带的形成 ;;能带的形成;;能带中能量不连续, 当原子数很多时，导带、价带内能级密度很大，可以认为能带准连续 每个能带中的能级数目与晶体中的原子数有关 能带的宽窄由晶体的性质决定, 与所含的原子数无关;Si : 1s22s22p63s23p2;半导体的能带;价键电子与所处能带的对应关系： 成键电子处于价带 自由电子处于导带;电子状态、能带与布里渊区;k值只能取分立值——对应一个能级 布里渊区——对应一个能带 第一布里渊区,对应内壳层分裂的能级能量 第二布里渊区,对应较高壳层的能级能量 简约布里渊区 将其他区域平移2nπ/a移动至第一布里渊区，这时第一布里渊区称为简约布里渊区 这一区域的波矢k 称为简约波矢 允带和禁带 晶体中的电子能量某些能量区域是禁止的，即禁带.允带以禁带分隔,禁带出现在布里渊区边界;§1.3 半导体中电子的运动 有效质量;令;m* 的特点;c. m*有正负之分;;电子在外力 作用下运动;§1.4 半导体中载流子产生及导电机构;半导体中的载流子：能够导电的自由粒子;空穴的波矢kP、能量E(kp)、有效质量m*p及加速度 ：;§1-5 半导体的能带结构;将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc与有效质量的关系为:;;硅导带等能面示意图;（2）价带;2. 元素半导体Ge;导带的极小值在[111]方向的布区边界，E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面,有8个半椭球。;GaAs能带结构;(1) 导带有两个极小值： 一个在k=0处，为球形等能面， 另一个在[111]方向，为椭球等能面，能量比k=0处的高0.29eV，;GaAs的导带的极小值点和价带的极大值 点为于K空间的同一点，这种半导体称为 直接带隙半导体。;思考题;;3. 试指出空穴的主要特征。 解：空穴是未被电子占据的空量子态，用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A、荷正电：+q； B、空穴浓度表示为p（电子浓度为n）； C、EP=-En D、mP*=-mn*。 ;4. 简述Ge、Si和GaAS能带结构的主要特征。 解： Ge、Si: a）Eg (Si：0K) = 1.21eV；Eg (Ge：0K) = 1.170eV； b）间接能隙结构——导带极值：Si位于布里渊区内部(100)方向，Ge布里渊区(100)方向边界；价带极值都位于布里渊区中心，2个价带，对应轻重空穴； c）禁带宽度Eg随温度增加而减小； GaAs： a）Eg（300K）= 1.428eV，Eg (0K) = 1.522eV； b）直接能隙结构——导带极值位于布里渊区中心及(111)边界，中心处较低0.29eV，价带极值亦位于中心； c）Eg负温度系数特性： dEg/dT = -3.95×10-4eV/K； ;第二章半导体中的杂质和缺陷;施主杂质——VA族的替位杂质;施主电离能△ED=弱束缚的电子摆脱杂质原子束缚成为晶格中自由运动的电子（导带中的电子）所需要的能量;;在Si中掺入B;;;施主和受主浓度：ND、NA;;类氢模型—— 浅能级杂质电离能的简单计算;玻尔原子电子的运动轨道半径为：;类氢模型;;深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。;化合物半导体中的杂质能级 ;点缺陷能级;1. 什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2. 两性杂质和其它杂质有何异同？ 解：两性杂质是指在半导体中既可作施主又可作受主的杂质。如Ⅲ-Ⅴ族GaAs中掺Ⅳ族Si。如果Si替位Ⅲ族As，则Si为施主；如果Si替位Ⅴ族Ga，则Si为受主。所掺入的杂质具体是起施主还是受主与工艺有关，需具体分析。;3. 什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。 解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。 施主电离前不带电，电离