半导体物理学第一章2探析.ppt

第1章 半导体中的电子状态; 以上几节讨论了半导体能带的一些共同特征。不同的半导体，能带结构也不同。即E(k)~k关系不同。各向同性半导体，E(k)~k关系各向同性，能带结构简单，各向异性半导体，E(k)~k关系各向异性，能带结构较复杂。能带结构与电子有效质量密切相关，确定m*对了解能带结构有重要意义（对半导体主要研究导带底和价带顶的能带结构）。;测定有效质量，用来确定能带极值附近的能带结构。;速度分解： ;;各向同性材料（各方向有效质量相同） ;量子力学解释：受激吸收;讨论：;; 为确保测量准确性，应用高纯样品，且低温环境。 ;第1章 半导体中的电子状态;直接带隙半导体和间接带隙半导体 Ec和Ev在布里渊区不同位置上，即k不同→间接带隙半导体 若Ec和Ev在布里渊区相同位置上，即k相同→直接带隙半导体;;第1章 半导体中的电子状态;§1.7 III－V化合物半导体的能带结构;§1.7 III－V化合物半导体的能带结构;化合物;以上介绍了III-V族化合物的一些共同特征，下面主要介绍两种 ：;轻空穴带;1.7.2GaAs的能带结构;;科技频道：凤凰网2012.12.9乔布斯的死亡真相：工作性质导致接触致癌物 ;最后指出：电子有效质量与温度有关，见下表：;另外，Smith《半导体》中提到，温度T很高时，电子有效质量有增大的现象，例如InAs在500K时电子有效质量＝0.0575m0，此现象被认为是导带底附近在高温下被电子填满，测得的电子有效质量对应较高能级上的电子的有效质量，这于能带论的简单模型也是相符合的。;InP：III-V族，闪锌矿结构，导带、价带极值在k=0，直接带隙半导体;Eg随x变化，x=0~1，Eg=Eg(GaAs)~Eg(GaP) x=0.38~0.40时，Eg=1.84~1.94ev ;1.8Ⅱ-Ⅵ族公合物半导体的能带结构 1。Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构材料的特点及研究意义 同以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料相比，以ZnSe和ZnO为代表的宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其混晶具有带隙宽、直接带跃迁和能以任何比例组成混晶等优点，除此之外，Ⅱ-Ⅵ族半导体材料还具有较大的有效质量和较小的静态介电常数，具有较大的激子结合能，较小的激子半径，较小的抗磁能移，激子发光可延续到室温等特点，所以长期以来一直被认为是紫、蓝和绿色发光、激光以及在该波段响应的光学双稳和光学非线性应用的重要侯选材料。另外，由于目前GaAs是许多Ⅱ-Ⅵ族半导体外延生长的衬底，而ZnSe和GaAs的晶格失配仅为0.27%，非常适合集成光电子技术的需要。 ;2。研究现状和发展预测 ZnSe 材料80年代末90年代初的两项重大突破： 第一，ZnSe 的p掺杂的实现； 第二，p-ZnSe的低阻欧姆接触的实现。 Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体量子阱研究工作的主要进展： 第一，获得了室温和连续工作的蓝/绿色半导体激光器； 第二，获得室温和具有ns及ps量级响应的光双稳器件。 目前国际上对于Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体异质结构材料的研究的注意力已经转向ZnO薄膜及其低维结构材料的研究和Ⅱ-Ⅵ族量子点材料的研究。但传统Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体异质结构材料，如ZnSe基量子阱材料的研究仍然显示出蓬勃的生命力，仍需进一步深入的工作。 ;1.9 SI1-xGex合金的能带;应变Si技术;第一章复习;例1;∴当 时， ;例2 下列能带图(a)GaAs (b)Si 请根据能带图说明那种材料适合做发光材料，为什么？ 如果GaAs适合做发光材料，它能发出什么颜色的光？为什么？;参考书 纳米材料与器件导论，清华大学出版社，2010.12 第七章：纳米绿色光源材料;参考书;参考书