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第1章 半导体中的电子状态;;假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。
该势场具有与晶格同周期的周期性势场。;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;晶体
crystalline;周期性结构:
如简立方、面心立方、体心立方等。;晶胞(cell)
周期性重复单元
固体物理学原胞:最小重复单元
结晶学原胞:
为反映对称性选取的最小重复单元的几倍;1.1.1 金刚石型结构和共价键;每个原子周围有四个最邻近的原子,这四个原子处于正四面体的顶角上。
任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有,并形成稳定的共价键结构。
共价键夹角:109?28’;;化合键 (bond);硅和锗的共价键结构;金刚石结构结晶学原胞
两个面心立方沿立方体空间对角线互相位移了四分之一的空间对角线长度套构而成。
金刚石结构固体物理学原胞
中心有原子的正四面体结构;;金刚石结构原子在晶胞内的排列情况
顶角八个,贡献1个原子;
面心六个,贡献3个原子;
晶胞内部4个;
共计8个原子。
;硅、锗基本物理参数;1.1.2 闪锌矿型结构和混合键;;
共价键具有一定的极性(两类原子的电负性不同),因此晶体不同晶面的性质不同。
不同双原子复式晶格。;闪锌矿与金刚石结构的比较;
Ⅲ-Ⅴ族化合物
部分Ⅱ-Ⅵ族化合物,如硒化汞,碲化汞等半金属材料。
;1.1.3 纤锌矿型结构;纤锌矿结构;半导体中的晶体结构;氯化钠型结构;1.2半导体中的电子状态和能带;孤立原子、电子有确定的能级结构。
在固体中则不同,由于原子之间距离很近,相互作用很强,在晶体中电子在理想的周期势场内作共有化运动 。
;;能带成因
当N个原子彼此靠近时,根据不相容原理,原来分属于N个原子的相同的价电子能级必然分裂成属于整个晶体的N个能量稍有差别的能带。;双原子;;分裂的每一个能带称为允带,允带间的能量范围称为禁带
内层原子受到的束缚强,共有化运动弱,能级分裂小,能带窄;
外层原子受束缚弱,共有化运动强,能级分裂明显,能带宽。;1.2.2 半导体中的电子状态和能带;德布罗意假设:一切微观粒子都具有波粒二象性.
具有确定的动量和确定能量的自由粒子,相当于频率为?和波长为?的平面波
自由电子能量和动量与平面波频率和波矢的关系
;;1.晶体中的薛定谔方程及其解的形式;布洛赫定理:
在周期性势场中运动的电子,满足薛定谔方程的波函数一定具有如下形式:
?k(x)=uk(x)eik·x
uk(x)= uk(x+na);自由电子的波函数; 与自由电子的波函数比较
相同点:
晶体中电子运动的波函数与自由电子的波函数形式相似,代表一个波长为2?/k,而在k方向上传播的平面波;
不同点:
该波的振幅随x作周期性变化,其变化周期与晶格周期相同----- 一个调幅的平面波。;对于自由电子在空间各点找到电子的几率相同;
而晶体中各点找到电子的几率具有周期性的变化规律,即描述了晶体电子围绕原子核的运动。
电子不再完全局限在某个原子上,而是可以从晶胞中的某一点自由的运动到其他晶胞内的对应点。这种运动就是电子在晶体内的共有化运动。
外层电子共有化运动强,成为准自由电子。
布洛赫波函数中的波矢k与自由电子波函数中的一样,描述晶体中电子的共有化运动状态。;2.布里渊区与能带;;对于有限的晶体,根据周期性边界条件,波矢k只能取分立数值。
对于边长为L的立方晶体
kx = 2?nx/L (nx = 0, ±1, ±2, …)
ky = 2?ny/L (ny = 0, ±1, ±2, …)
kz = 2?nz/L (nz = 0, ±1, ±2, …)
;1.2.3导体、半导体、绝缘体的能带;;0;;三者的主要区别:
禁带宽度和导带填充程度
金属导带半满
半导体禁带宽度在1eV左右
绝缘体禁带宽且导带空
;半导体和绝缘体;本征激发
;+4; 当原子中的价电子激发为自由电子时,原子中留下空位,同时原子因失去价电子而带正电。;绝缘体的禁带宽度很大,激发电子需要很大的能量,在通常温度下,能激发到导带中的电子很少,所以导电性很差。
半导体禁带宽度比较小,数量在1eV左右,在通常温度 下已有不少电子被激发到导带中去,所以具有一定的导电能力,这是绝缘体和半导体的主要区别。
室温下,金刚石的禁带宽度为6~7eV,是绝缘体;
硅为1.12eV,锗为0.67eV,砷化镓为1.43eV,都是半导体。;Consider nominally pure semiconductor at T = 0 K
There is no electrons in the conduction band
At T 0 K a small
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