半导体测试技术探析.ppt

半导体材料测试技术 ; 半导体的检测与分析是一个介于基础研究与应用研究之间的涉及内容很广而又不断蓬勃发展的领域。目前对光电子材料进行物理和化学研究的方法很多，有透射电镜、光荧光、拉曼光谱、背散射、二次电子谱、俄歇、电化学C-V和X射线双晶衍射等。本课程主要是根据我们实验室现有的实验设备进行实验教学，重点介绍X射线双晶衍射技术、光致发光分析方法、电化学CV分布测量技术、霍尔效应测量等方法的基本原理及其在半导体中的应用。 ;目 录 ; 第一章 X射线双晶衍射技术 ;优点;第一节 X射线的性质及产生;二、??? X射线的产生;; 1、阴极，阴极系灯丝，阴极的功能是发射电子。 2、阳极，阳极又称之为靶（target）。是使电子突然减速并发射X射线的地方。当高速运动的电子与阳极相碰时，便骤然停止运动。此时电子的能量大部分变为热能，一部分变成X射线光能，由靶面射出。 3、窗口，窗口是X射线射出的通道。窗口材料要求既要有足够的强度以维持馆内的高真空，又要对X射线的吸收较小，较好的材料是金属铍。;三、X射线谱 ; 当高速的阴极电子流轰击阳极时，便将阳极物质原子深层的某些电子击出而转移到外部壳层，这时原子就处于不稳定状态。这样，外层的电子立即又会跃迁到内部填补空位，使原子的总能量降低，而多余的能量就以一定波长的X射线发射出去，形成了特征X射线。图8-4示出了产生特征X射线的示意图。由图可以看出，把K层电子跃迁到外层时的激发称为K系激发，把电子由原子外层跃迁回此时空的K壳层产生的X射称为K系辐射。把K系辐射中电子由L壳层转移到K壳层的辐射称为Kα辐射；;由M壳层转移到K壳层的辐射称为Kβ辐射。由于M壳层的能量较L壳层高，产生Kβ是原子能量降低很多，所以Kβ辐射的波长比Kα短。但是电子由M壳层跃迁到K壳层的几率小，因此Kβ线的强度比线的小。在晶体结构分析中常用K系X射线。K线可分为波长比较接近的Kα1和Kα2线，它们系由能级的精细结构形成。一般来说，Kα1、Kα2和Kβ辐射的强度比接近于1：0.5:0.2。由于在X射线双晶衍射方法的实验中采用单色X光，故需用Ge单色器（第一晶体）把Kα2和Kβ射线滤掉。Cu靶的Kα1特征X射线波长为0.15405nm。 ;第二节 晶体几何学基础;二、晶系 ;;三、常见的晶体结构;四、晶面与晶向晶面族，用大括号{hkl}来表示 ;;;泛指晶向，用方括号[uvw]来表示;有对称关联的等同晶向用uvw表示。如111?;六方晶系的晶面和晶向指数 ;五、晶面间距;;第三节 X射线双晶衍射基本理论;布拉格定理 ;第四节 X射线双晶衍射实验方法 ;Ｘ射线双晶衍射实验是在日本理学公司生产的D/Max-2400型Ｘ射线双晶衍射仪上进行的，Ｘ射线源是Cu靶，Ｘ射线波长?＝0.15405nm,最大输出功率12KW,第一晶体Ge单晶表面为(400)。为了能够清楚地观察到外延峰中的干涉条纹，在收集衍射数据时，必须减少第一晶体与样品之间的狭缝尺寸，使入射到样品上的光斑尽量减小，增加Ｘ射线平行性，减少由于样品弯曲及Ｘ射线散射对干涉现象的影响，第一晶体与样品之间选用0.05mm的狭缝。实验结果的计算由HP工作站自动进行。 ;;;;XRD results;XRD result of GaN on ordered porous Si;XRD result of GaN on bulk Si;第二章 光荧光分析方法 ;在本实验中，我们主要的实验手段为光致荧光谱，采用激光作为其激发光源。当激发光光子能量大于半导体禁带宽度时，价带的电子将会被激发至导带，在价带形成空穴，在导带形成电子，这些光致激发载流子通过各种可能渠道弛豫到价带顶和导带底，于是电子就可以通过辐射复合方式由导带跃迁回价带，发出光子。辐射复合的光子能量主要和材料本身的物理性质有关。由此，我们可以通过光致荧光谱来探测材料内部性质。 ;§2.1半导体的辐射复合过程 ;1、自由载流子复合 —导带-价 带复合;;对于间接带隙半导体，导带极小值与价带极大值不在布里渊区的同一点，既这两个状态的k值不同，因而它们的动量也不同。电子要在这两个不同k值的能态实现跃迁，必须要有第三者——声子参与，才能满足动量守恒的要求。当假设只有一个能量为Ep的声子参加间接跃迁过程时，辐射复合产生的光子能量为hv ≥ Eg-Ep,其发光的光谱分布为： L(hv)=B’(hv- Eg + Ep)2 (B’为比例因子) ;;2、自由激子复合;;对于具有直接带隙的半导体，在简单的辐射跃迁的情况下，自由激子复合时满足动量守恒，这时发射的光子能量为：hv=EG-EX 式中Ex为自由激子的电离能，Ex1是激子基态的电离能，n为激发态的量子数。由此可见，自由激子复合的光谱为起始于hv=E