模拟电子技术基础_半导体器件基础精编.pptVIP

本章基本要求 了解半导体的基本知识 熟悉二极管 PN结 、晶体三极管 BJT 、场效应管 FET 的结构、工作原理、主要参数 掌握二极管、BJT、FET的特点、伏安特性及二极管的应用电路及其分析方法。 2.1.2 本征半导体 具有晶体结构的纯净半导体称为本征半导体。晶体通常具有规则的几何形状，在空间中按点阵 晶格 排列。 共价键结构 在本征半导体中，由于原子排列的整齐和紧密，原来属于某个原子的价电子，可以和相邻原子所共有，形成共价键结构。图2-2所示为硅和锗共价键的 平面 示意图。 热激发与载流子 复合、动态平衡 2.1.3 杂质半导体 为了提高其导电能力，应增加载流子的数目，采用先进的工艺，在本征半导体中掺入微量的其它元素（称为掺杂），形成杂质半导体。若掺入微量的五价元素（如磷、砷、锑等），可大大提高自由电子浓度，这种杂质半导体称为N型半导体； 若掺入微量的三价元素（如硼、铟），则可增加空穴数目，这种杂质半导体称为P型半导体。 1 N型半导体 载流子浓度 已知，硅的原子密度为 ，自由电子浓度为 ，若掺入250万分之一的磷，相当于磷原子的密度为 ，常温下磷原子全部电离，所产生的自由电子密度也为 ，可见 比 大100多万倍。所以，在掺入磷原子的本征半导体中，自由电子数目远远大于空穴数目，即自由电子为多数载流子 多子 ，空穴为少数载流子 少子 ，因此称为N型半导体