第四章 存储器课题.ppt

半导体存储器及其接口;本章主要内容;;（1）、三个主要参数;速度： 从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需要的时间 芯片的存取速度最好与CPU时序相匹配。 可靠性 用平均故障间隔时间MTBF来衡量 ;（2）.存储芯片的内部结构;① 存储体;② 地址译码电路;③ 片选和读写控制逻辑;3、存储器基本分类 ;按使用功能： RAM：Random Access Memory 可读写、易失性 用于存放经常变化的数据及动态加载的程序，如PC机的内存条 又分静态SRAM、动态DRAM二类 ROM：Read Only Memory 只读、非易失性 用于存放固定不变的信息，如BIOS、监控程序等 又分掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH等多种类型 ;按构成存储器的器件和存储介质分： 磁芯存储器 半导体存储器 光电存储器 磁表面存储器 光盘存储器 ;2、随机存取存储器;1、静态RAM;静态基本存储电路：以触发器为基础 状态稳定，只要不掉电，就能保持信息 由6个半导体管构成，;静态基本存储电路：以触发器为基础 状态稳定，只要不掉电，就能保持信息 由6个半导体管构成，;SRAM芯片2114;SRAM 2114的读周期;SRAM 2114的写周期;SRAM芯片6264;2、动态RAM;动态基本存储电路：以电容为基础 因电容漏电,为保持信息不变，需定时刷新 可由1个半导体管构成;动态基本存储电路：以电容为基础 因电容漏电,为保持信息不变，需定时刷新 可由1个半导体管构成;DRAM芯片4116;DRAM 4116的读周期;DRAM 4116的写周期;DRAM 4116的刷新;DRAM芯片2164;SRAM与DRAM的比较： 容量、速度： 成本、功耗： 用途： SRAM常用作缓存 DRAM则用作主存 使用： SRAM较简单 DRAM较复杂：必须处理刷新的问题 ;EPROM EPROM 2716 EPROM 2764;1、EPROM;EPROM芯片2716;EPROM芯片2764;EPROM芯片27256;2、 EEPROM;EEPROM芯片2817A;EEPROM芯片2864A;二、半导体存储器接口的基本技术;（一）、存储芯片与CPU的连接;1、存储芯片数据线的处理;位扩充;2、存储芯片地址线的连接;片内译码;3、存储芯片片选端的译码;地址扩充（字扩充）;片选端常有效;地址重复;⑴ 译码和译码器;⑵ 全译码;全译码示例;⑶ 部分译码;部分译码示例;⑷ 线选译码;线选译码示例;片选端译码小结;4、存储芯片的读写控制;（二）、存储芯片与CPU的配合;1.总线驱动;2.时序配合;1、8086的16位存储器接口;（1）独立的存储体译码器;（2）独立的存储体写选通;8086读写16位数据的特点： 读16位数据时会读两次，每次8位。 读高字节时BHE=0，A0=1； 读低字节时BHE=1，A0=0 每次只使用数据线的一半：D15-D8 或 D7-D0 写16位数据时一次写入。 BHE和A0同时为0 同时使用全部数据线D15～D0;32位微机系统中的内存储器接口;SRAM 2114的功能;SRAM 6264的功能;EPROM 2716的功能;EPROM 2764的功能;EEPROM 2817A的功能;EEPROM 2864A的功能;存储芯片的字扩充;门电路译码;译码器74LS138;74LS138连接示例;74LS138功能表;1. 微型计算机中常用的半导体存储器有哪些？各有何特点？分别适用于哪些场合？ 2. 半导体存储器的主要性能指标有哪些？ 3. 静态RAM和动态RAM的主要区别和优缺点是什么？它们在微机系统中是如何应用的？ 4. 术语“非易失性存储器”是什么意思？SDRAM、DRAM、ROM、PROM和EPROM、EEPROM、Flash Memory等哪些是非易失性存储器？;5. 下列RAM芯片，在理论上其地址线和双向数据线各有多少根？用它组成一个64KB的存储器系统，共需要几片？ (1)1K×4位 (2)2K×8位的存储器芯片 (3)8K×8位 (4)64K×1位的存储器芯片 6. 在半导体存储器与CPU系统的连接中，??用部分译码法和全译码法对存储系统有何影响？