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第四章 新型半导体薄膜材料;4.1 概述;;;4.2 硅基非晶态半导体薄膜;;;;;简述非晶硅的能带结构 ;非晶硅的电导率特性 ;4.2.2 非晶硅薄膜的制备;图4-1 制备a-Si:H薄膜的辉光放电装置示意图;;4.2.3 a-Si薄膜材料的研究近况;;;;;(2)化学退火和分层多次制膜技术;;;(3)制膜设备和缺陷密度的测量的进展;4.2.5 非晶态半导体的光学性质;;单晶硅、砷化镓和一些重要太阳电池材料的吸收系数与波长的关系如下图。;4.2.4 非晶半导体薄膜材料在光电器件方面的独特性能 ;;4.3太阳能电池;图2 太阳电池结构原理 ;;4.3 a-Si:H太阳电池;;;;;;;4.4 a-Si:H太阳电池的制造 ;;;;a-Si开发存在的问题和展望;4.5 多晶硅薄膜;;;;;;;(2)poly-Si制备方法;;;;;;;;;;;;;4.6 三簇元素氮化物(III-N)薄膜材料 ;1、三族元素氮化物半导体材料的重要性;;;基本参数;2、材料制备与生长;;;;;;
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