第四章第三节-副本课题.ppt

Electrical Properties of Materials;1.不同材料电学性能的差异及其与组成和结构的关系 2. 电导率和电阻率的定义、电导机制、电导率的基本参数及影响因素 3. 材料的电子能带结构与电导性、光导性和半导电性公式 4. 超导电性的定义、超导体的2种特性、3个性能指标 5. 介电常数的定义、介质极化的三种机制， 6. 交变电场中的介电损耗的成因及影响因素 7. 击穿强度的定义 8. 材料电性能与温度的关系 ;材料的电学性能(electrical property);电导率(electrical conductivity)和电阻率 ;电阻率分： R= ?.L/S 体积电阻率：?V , Ω·m 表面电阻率：?S , Ω Rv＝V/Iv (与材料性质及样品几何尺寸有关) Rs＝V/Is （测量的电极间距和电极长度，样品的表面性质决定） 1/R=1/ Rv+1/ Rs ;电导率;表4-19 材料的分类及其电导率 ;⑶ 不同材料的电导率举例 ①金属 自由电子 电导率高 导电性好 ②硅 半导体 ③离子固体 室温绝缘体 T高 电导率大 （无机非金属） ④高分子 杂质致有导电性 ; 各种材料在室温的电导率 ;;⑷　决定电导率的基本参数 parameters 载流子数 charge carrier density----n, 个/m3载流子类型 charge carrier—— 电子、空穴、正离子、负离子 载流子迁移率 electron mobility ( 物理意义为载流子在单位电场中的迁移速度) μ=ν/E m2/(v.s) 平均漂移速度（drift velocity）ν，m/s;载流子在各种材料中的形式： （1）金属材料：自由电子，电子电导。 （2）高分子材料和无机非金属材料：可以是两类载流子同时存在。载流子为离子或空格点的电导为离子电导，载流子为电子或空穴的电导为电子电导。 本征电导：电子电导和空穴电导同时存在 ;迁移率（电流密度） μ= v／E (载流子在单位电场中的迁移速度) （单位时间（1s）通过单位截面积的电荷量） J＝nqv （J为电流密度） 电导率 σ=J/E=nqv／E =nqμ;⑸ 影响因素 影响离子电导率的因素 （1） 温度 （2）晶体结构 晶体结合力大，活化能高，电导率低. 离子电荷高，活化能高，电导率低。 离子晶体结构紧密，活化能高，电导率低。 （3）晶格缺陷 电子载流子浓度小；离子晶格缺陷大，并参与电导。;总的迁移率受散射的控制，包括两个部分： (A) 声子对迁移率的影响,可写成 μL=aT-3/2 (B)杂质离子对迁移率的影响,可写成 μI=bT3/2 a 、b 为常数，决定于不同材料;单质金属中主要的散射机制是电声子相互作用,电导率的温度关系为 σ∝T-1。 半导体和绝缘体的电导率随温度变化以指数函数增大 σ=σ0exp(-Eg/2kT) ;例题; Structures and Conductivity; （1）导体能带 conductor energy band 碱金属 锂、钠、钾 钠（1S22S22P63S1） 碱土金属 铍、镁、钙 镁（1S22S22P63S2） 3S与3P重迭 贵金属 铜、银、金 铜（1S22S22P63S23P63d104S1） 过渡金属 铁、镍、钴 铁（1S22S22P63S23P63d74S2）重迭;金属中的自由电子都能导电吗？;影响金属导电性的因素 电阻率 ;;（2）绝缘体 insulator;; ??????????????????????????????? ;1974年，白川英树等人用Ziegler-Natta催化剂制备聚乙炔薄膜 ;1977年， Heeger 、MacDiarmid 和白川英树、发现当聚乙炔薄膜用Cl2、Br2或I2蒸气氧化后，其电导率可提高几个数量级。通过改变催化剂的制备方法和取向，