半导体第一章研究.ppt

半导体物理Semiconductor Physics;半导体材料、器件与半导体物理学;半导体材料、器件与半导体物理学; 半导体的独特性质 2、杂质对半导体材料的电阻率产生很大影响 ; 半导体的独特性质 3、温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 (完整纯净半导体电导率随温度升高而指数式上升) 如，室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃， 电阻率降低 50%左右 ; 半导体的独特性质 4、纯净半导体具有负的电阻温度系数 ; 半导体的独特性质 5、与金属相比具有较高的温差电动势率 半导体 100μV/K 以上 金属 0～10μV/K ; 半导体的独特性质 6、适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 如，在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的暗电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ; 半导体的独特性质 7、半导体的导电能力随电场、磁场等作用而改变 如：a. 砷化镓电导率随电场的增加时而增加，时而减小， 并形成高频振荡 ; 如：b. 磁阻效应,InSb磁敏电阻; 半导体的独特性质 8、半导体的中有两种载流子（参与导电） 电子 空穴 三种导电类型： n型导电 p型导电 本征导电 ;半导体分类;半导体材料、器件与半导体物理学;半导体材料、器件与半导体物理学;第一章 半导体中的电子状态;第一章 半导体中的电子状态;1.1常见半导体的晶格结构和结合性质; HgS;第Ⅳ族元素半导体; 1 金刚石型结构和共价鍵 许多材料的结构与金刚石相同，故称之为金刚石型结构。 这些材料为第IV族的 C(碳)、Si(硅)、Ge(锗)、Sn(锡)，而Si和Ge均是重要的半导体材料。 特点： 金刚石型结构为两个面心立方的套构。一个基元有两个原子，相距为对角线长度的1/4。 正四面体：顶角、中心有原子 电子云密度大-?共价鍵-?配位数 ;每个原子的最近邻均有4个原子 正四面体结构 共价鍵 每个原子最外层价电子为一个s态电子和三个p态电子。在与相邻的四个原子结合时，四个共用电子对完全等价，难以区分s与p态电子，提出“杂化轨道”概念：一个s和三个p轨道形成能量相同的sp3杂化轨道。;金刚石结构;金刚石结构;金刚石结构;立方密堆积;计算原子体密度;计算原子体密度;计算原子体密度;Ⅲ-Ⅴ族化合物 (以GaAs为代表);闪锌矿结构;闪锌矿结构;元素电负性;Ⅲ-Ⅴ族化合物绝大多数具有闪锌矿结构 Ⅱ-Ⅵ族化合物的大部分也具有闪锌矿结构 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的AlN,InN Ⅱ-Ⅵ族化合物中的ZnO具有纤锌矿结构 Ⅱ-Ⅵ族中的ZnS, ZnSe, CdS, CdSe 可以有两种结构;纤锌矿结构;离子性成分示意图;1.2 能带论的主要结果;孤立原子中的电子状态和能量;孤立原子中电子的能量;简并: 对于一个能量值有n个状态，就是n度简并。 问题：主量子数n相同的但角量子数l不同的状态，是否简并？ 答：在考虑到相对论的情况下不是。 同一主量子数n对应的电子壳层中角量子数l不同的支壳层，实际上是不同形状的电子轨道，每种轨道运动能量略有差别。;不考虑电子自旋： s轨道 p轨道 d轨道 考虑电子自旋： s轨道 p轨道 d轨道 ;半导体中的电子状态和能带;晶体中电子的“共有化”运动;共有化电子运动示意图; 由于2个电子不能有完全相同的能量，交叠的壳层发生分裂，形成相距很近的能级带以容纳原来能量相同的电子。原子相距越近，分裂越厉害，能级差越大。由此导致简并的消失。 两个原子互相靠