第五章半导体二极管及直流稳压电源课题.ppt

第5章 半导体二极管及直流稳压电源;第5章 半导体二极管及直流稳压电源;5.1 半导体的基础知识;1. 本征半导体——纯净的晶体结构的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。电子技术中用的最多的是硅和锗。 硅和锗都是4价元素，它们的外层电子都是4个称为价电子。 其简化原子结构模型如下图：; 本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。如图所示：;由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴－电子对;空穴的移动;空穴的移动;磷（P）;所以，N型半导体中的导电粒子有两种： 自由电子—多数载流子（由两部分组成） 空穴——少数载流子;硼（B）;P型半导体的结构示意图如图所示：; 本征半导体、杂质半导体; 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。; 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。; 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 ;(1) 扩散电容CD; (2) 势垒电容CT;将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。;二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。;（a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 ;其中; 伏安特性受温度影响;锗二极管2AP15的伏安特性; 硅二极管的死区电压Uth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Uth=0.1 V左右。 ;当uD＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：; 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。;(1) 最大整流电流IF;(3) 反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。即IS;将指数模型 分段线化，得到二极管特性的等效模型。;近似分析中最常用;（3） 折线模型;Q越高，rd越小。;2.交流小信号等效模型;5.3.2 晶体二极管电路的分析方法;2.图解分析法 ;3.简化模型分析法;（3）折线模型，用折线模型等效电路代替二极管 ;讨论;3.简化模型分析法;解：（2）恒压降模型;改变电压值通常为降压;（1） 工作原理;(2) UO（AV）和 IO（AV）的估算 已知变压器副边电压有效值为U2; 考虑到电网电压波动范围为±10％，二极管的极限参数应满足： ;u2的正半周 A→D1→RL→D3→B，uO= u2;(2) 输出电压和电流平均值的估算; 考虑到电网电压波动范围为±10％，二极管的极限参数应满足： ;3.电容滤波电路;考虑整流电路的内阻;(2) 二极管的导通角; 简单易行，UO（AV）高，C 足够大时交流分量较小；不适于大电流负载。;讨论;伏安特性;2.基本电路的组成;（1）输出电压 UO＝UZ （2）输出电流 IZmax－ IZmin≤ IZM－ IZ （3）稳压系数;4. 工作原理;（1）UI的选择 UI＝（2～3）UZ （2）稳压管的选择 UZ＝UO IZM－IZ ILmax－ ILmin （3）限流电阻的选择 保证稳压管既稳压又不损坏。;【例5.4.1】 硅稳压管电路如图所示。其中待稳定的直流电压UI=18V，R=1kΩ，RL=2kΩ，硅稳压管VDZ的稳定电压UZ=10V，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。（1）试求UO、IO、IR和IZ的值。（2）试求RL值降低到多大时，电路的输出电压将不再稳定。;依次选择稳压管、 UI、 R、 C、U2、二极管 1. 输出电压、负载电流→稳压管 2. 输出电压→UI 3. 输出电压、负载电流、稳压管电流、 UI →R 4. UI 、 R →滤波电路的等效负载电阻→C 5. UI → U2 6. U2、 R中电流→整流二极管;输出电压：5V、6V、9V、12V、15V、18V、24V 输出电流：1.5A（W7800）、0.5A （W78M00）、0.1A（W78L00）;使Co不通过稳压器放电;（3）具有正、负两路输出的稳压电路 ;IW为几mA，UO与三端稳压器参数有关。;2. 基准电压源