半导体物理(第八章)研究.pptVIP

在半导体表面，晶格不完整性使势场的周期性被破坏，在禁带中形成局部状态的能级分布（产生附加能级），这些状态称为表面态或达姆表面能级。 ⒊多子耗尽状态及弱反型时：VG 0, 0 VS 2VB C/Co 随表面势VS或栅极电压VG的变化关系为 可以看出，当VG增加时， C/Co 将减小，这是由于处于耗尽状态的表面空间电荷区厚度随VG增大而增大，则CS减小， C/Co 也随之减小，如图CD段。 ⒋表面强反型时： VS 2VB ①如果是处于低频信号下，强反型的MIS结构上qVS 2qVB k0T，上式分母第二项的很小趋近于零，所以 C/Co →1，说明MIS结构电容又上升到等于绝缘层电容，如图EF段。 ?②如果是处于高频信号下,反型层中电子的产生与复合跟不上频率的变化,空间电荷区电容呈现的是耗尽层电容，由于强反型时耗尽层有最大宽度xdm，使耗尽层电容达最小值，所以MIS结构的电容也呈现极小电容Cmin——不再随偏压VG变化，如图GH段。此时 ⒌深耗尽状态： 若理想MIS结构处于深耗尽状态，此时耗尽层宽度xd随外加VG而变化，CS不再是定值，所以MIS结构电容C/C0不再呈现为最小值。 一、金属与半导体功函数差异的影响 ⒈无外加偏压时能带图： 若金属和半导体存在功函数差异，当形成MIS系统时，为了使金属和半导体的费米能级保持水平，在半导体表面会形成空间电荷区，表面能带发生弯曲，表面势VS不为零。 8.3.4 实际MIS结构的C-V特性 下图为某一实际P型MIS结构在无外加偏压时的能带图，考虑Wm Ws情况。无偏压时半导体表面形成带负电的空间电荷区，表面势VS 0，能带下弯。 ⒉ 功函数差对C-V曲线的影响： 存在功函数差异的实际MIS结构和理想MIS结构的C-V特性曲线形状一致，但位置有一些变化。 在上面的例子中，无偏压时VS 0，能带下弯，为了恢复半导体表面平带状态，必须在金属一侧加一定的负电压，抵消半导体表面势对能带的影响。这个为了恢复平带状态所需加的电压叫做平带电压，以VFB表示，大小为： 左图为该MIS结构的实际C-V特性曲线（曲线2）。从图中可知，与理想MIS结构C-V曲线（曲线1）相比，实际MIS的C-V曲线沿电压轴向负方向平移了一段距离│VFB│。 综上：金属与半导体存在功函数差的实际MIS结构，其C-V特性曲线会沿电压轴向左或右平移，平移的距离即为平带电压VFB，其正负代表平移的方向。 B VFB 二、绝缘层电荷对MIS结构C-V特性的影响 设绝缘层中有一薄层电荷，单位面积上的电荷量为Q，离金属表面的距离为x，带正电。 ⒈无偏压时绝缘层电荷对半导体能带的影响 为了保持电中性，绝缘层的正电荷会在金属及半导体表面层中感应出负电荷，因此在半导体表面有负的空间电荷区，表面能带下弯，表面势VS 0。 Q 0 ⒉绝缘层电荷对C-V特性的影响 半导体表面感应出的负电荷导致了半导体表面能带的弯曲，为了恢复半导体的平带状态，需要在金属一侧加一个负偏压VFB，使金属板上的负电荷量增加到等于绝缘层电荷Q，这样半导体表面就不会有感应的负电荷，表面能带恢复水平状态，VFB的大小，我们这样来考虑： 在平带电压VFB的作用下，电荷只出现在金属板和绝缘层中，内电场集中在金属板和绝缘层薄层电荷之间，由高斯定理可推出： 其中C0——绝缘层单位面积电容。 该MIS结构的C-V特性曲线也沿电压轴向负方向平移，平移的距离即为│VFB│。 ⒊绝缘层电荷位置对C-V特性的影响 当x 0时，绝缘层电荷贴近金属一侧，VFB 0 当x d0时，绝缘层电荷贴近半导体一侧，平带电压有最大值 这说明绝缘层电荷越接近半导体表面，对C-V特性的影响越大，若位于金属与绝缘层界面处，对C-V特性无影响。 ⒋体分布的绝缘层电荷对平带电压的影响 若绝缘层中的电荷不是薄层分布而是体分布，设金属与绝缘层界面为坐标原点，体电荷密度为ρ x ，其平带电压为： 当功函数差和绝缘层电荷同时存在时，平带电压为： 硅-二氧化硅系统中的电荷和态 1. 二氧化硅中的可动离子 2. 二氧化硅中的固定表面电荷 3. 在硅–二氧化硅界面处的快界面态 4.二氧化硅中的陷阱电荷 8.4 Si-SiO2系统的性质 Si-SiO2系统存在的电荷或能量状态： 8.4.1 二氧化硅中的可动离子 二氧化硅中的可动离子有Na、K、H等，其中最主要而对器件稳定性影响最大的是Na离子。 来源：使用的试剂、玻璃器皿、高温器材以及人体沾污等 为什么SiO2层中容易玷污这些正离子而且易于在其中迁移呢？ 二氧化硅的网络状结构 二氧化硅结构的基本单元是一个由硅氧原子组成的四面体，Na离子存在于四面体之间，使二氧化硅呈现多孔性，从而导致Na离子易于在二氧化硅中迁移或扩散。 由于Na的扩散系数远远大于其