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第八章 半导体表面与MIS结构;8.1 表面态概念;8.1 表面态概念;8.1.2 理想表面;理想一维晶体的表面态：化学键理论;8.1.3 真实表面;8.2 表面电场效应;表面势Vs－空间电荷层两端的电势差，表面比内部高为正;假设;例子：一维p型半导体;两边乘以dV;“＋”: V 0;8.2.3 半导体表面电场、电势和电容;8.2.4 半导体表面层的五种基本状态;3耗尽状态
VBVs0;4 反型状态;5 深耗尽状态 Vs 2VB;第七章;8.3 Si-SiO2系统的性质;2. 氧化层中固定电荷 Qf;8.4 MIS结构的C-V特性;8.4.2 理想MIS电容的C－V特性;低频情况(10~100 Hz);3 VG 0,耗尽, VG ↑ d ↑ Cs↓ C ↓平行板电容器等效;高频情况(104~106 Hz);深耗尽情况(快速C－V扫描);10.4.3 实际MIS电容的C－V特性;2. 绝缘层中电荷的影响;10.5 表面电导及迁移率;本章小结;（3）
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