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第一章 常用半导体器件在二十;1.1 半导体基础知识 ;1.1.1 本征半导体及其导电;硅、锗的共价键结构+4+4+4;电子空穴对 当导体处于热;本征激发和复合过程因热激发而出;掺杂半导体(1) N型半导体:;N型半导体 在本征半导体;P型半导体 在本征半导体;杂质对半导体导电性的影响 ;PN结的形成内电场 P区 ;PN结的单向导电性 1、PN结;PN结的单向导电性 外加的反;PN结的电容效应 PN结具有一;(2)扩散电容CD 扩;PN结的击穿特性 当反向;半导体二极管的结构类型 ;(c)平面型(3) 平面型二;半导体二极管的伏安特性曲线 ;式中IS 为反向饱和电流,uD;(1)正向特性 ;(2)反向特性当VBR<uD<;半导体二极管的参数 (1) 最;半导体二极管的参数(续) (5;半导体二极管的型号国家标准对半;半导体二极管实物图;特殊二极管 稳压二极管是;(5)稳定电压温度系数——?V;半导体二极管的应用1.整流2.;半导体二???管的应用(续一)3.;半导体二极管的应用(续二)4.;双极型半导体三极管图1.17 ;双极型半导体三极管的电流分配与;双极型半导体三极管的电流分配与;双极型半导体三极管的电流关系 ;共基极直流电流放大系数α:共发;双极型半导体三极管的特性曲线 ;共基极交流电流放大系数当ICB;集电极最大允许电流ICM ;集电极最大允许功率损耗PCM集;例1.1:测量三极管三个电极对;半导体三极管的型号国家标准对半;场效应管 场效应半导;绝缘栅场效应三极管的工作原理 ;N沟道增强型MOSFET的结构;N沟道增强型MOSFET的工作;栅源电压VGS的控制作用(续1;栅源电压VGS的控制作用(续2;N沟道增强型MOSFET的工作;漏源电压VDS对漏极电流ID的;N沟道增强型MOSFET的漏极;N沟道耗尽型场效应管VGS0;结型场效应三极管 (1)结型场
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