电子技术基础模电课题.ppt

;半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的某些物质。如硅、锗、硒和砷化镓等都是半导体。;半导体的导电特性：;1.1.2 本征半导体、P型半导体及N型半导体 1.本征半导体;排列完全一致的晶体称为单晶。完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体，无光照和未受热时不导电。;硅和锗的共价键结构; 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，导电能力很弱。;本征激发后留下的空位称为空穴。空穴和电子一样可以参与导电,是带正电荷的载流子。;2.杂质半导体;N型半导体;N型半导体;P型半导体;P型半导体;杂质半导体的示意表示法;;P型半导体;扩散的结果是使空间电荷区逐渐变薄。;漂移运动;1.1.3半导体二极管及其特性;1.二极管的单向导电性;PN结正向偏置;PN结反向偏置; 基本结构;阴极引线;3.二极管的伏安特性曲线及参数;二极管的特性可以分为以下几个区域： 1）正向特性 （a）不导通区(也叫死区) 二极管开始外加电压较小，正向电流几乎为零，电阻较大，曲线比较平坦，称作不导通区或者死区。死区电压，一般硅二极管约0.5伏，锗二极管约0.2伏。 （b）导通区 当正向电压大于死区电压时，正向电流急剧增大。该段曲线陡直，电流随电压增长很快，称作导通区。二极管正向导通电压,硅二极管为0.6- 0.7伏，锗二极管为0.2-0.3伏。; 2）反向特性 （a）反向截止区 加反向电压时，PN结内电场阻碍多子扩散,使二极管呈现很大的电阻。少数载流子形成很小的反向饱和电流，它会随温度变化。一般硅管在几十微安以下，锗管达几百微安，大功率二极管的反向电流将更大些。 （b）反向击穿区 当反向电压增大到超过某一个值时，电流急剧加大，叫反向击穿。击穿后反向电压基本不变,不同的二极管，反向击穿电压不同。(注意:击穿后只要限制电流,二极管不会损坏。稳压管就工作在反向击穿区) 二极管工作特点:单向导电性; 主要参数;1.1.4二极管的识别和简易检测方法 用万用表判断二极管的好坏:正向时电阻小;反向时电阻大。普通二极管的正向时电阻越小,反向时电阻越大性能越好。 指针式万用表(电阻档)的红表笔是电池负极,黑表笔是电池正极.数字式万用表刚好相反。 用指针式万用表R×100或R×1K档测量二极管,不同电阻档测量二极管时,电阻会有不同。数字式万用表不用电阻档测量。 ;;电源变压器: 将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。; (1)单相半波整流电路;uo; （2）单相全波整流电路; （3）单相桥式整流电路;桥式整流电路;u20 时;负载上的电压和电流平均值 ;平均电流(ID)与反向峰值电压(URM)是选择整流管的主要依据。;例如:单相桥式整流电路变压器次级输出电压U2=6V，整流后接1KΩ的负载，那么负载上直流电流的平均值为多少? 解: UL=0.9U2=5.4V IL=UL/RL=5.4mA ;;二、多倍压整流电路;u2的第二个正半周：u2、C2、D3 、C3、C1构成回路， C1补充电荷，C3充电到：;;例题1:某飞机仪表中需要2KV的直流电压，试求:分别利用二倍压、四倍压整流电路时，整流变压器的次级电压和整流二极管的最大反向电压。 ;例如:某负载电阻为20KΩ，需要5mA的直流电流，若采用四倍压整流电路，变压器次级输出电压约为多少 ? 解:UL=RL×IL=20×5=100V ;; 电容滤波电路;RL未接入时(忽略整流电路内阻);RL接入（且RLC较大）时 (忽略整流电路内阻); 电感滤波;uo; L-C 型滤波电路;LC –? 型滤波电路;3．二极管的串并联 在整流设备中，有时会遇到要求输出很高电压或很大电流的情况。这时，单个的整流器件已不能满足要求，一般采用同型号的二极管串联或并联使用。 但二极管特性的差异会使电路损坏。;（1）二极管的串联;（2）二极管的并联;4．二极管箝位电路 ;1.1.6 特殊二极管及其应用;稳压管;例：稳压二极管的应用;RL;作业;2．变容二极管 变容二极管通常是由硅半导体材料制成，其特点是结电容随电压的变化而变化。变容二极管工作在反向截止状态，其结电容随着反向电压的增大而下降。 ;3．PIN二极管;4．肖特基二极管 肖特基二极管是利用金属-半导体的接触来代替PN结，在N型半导体与金属的界面中构成一个阻挡层。 ;肖特基二极管与PN结差别： 肖特基二极管是依靠一种载流子工作的器件，消除了PN结中存在的少数载流子储存现象，因而适用于高频高速电路。 其次，省掉了P型半导体，因而有很低的正向电阻。;5．光电二极管