低频电子电路第二章研究.ppt

2.3 元器件的模型研究与仿真的工程意义; 本章将讲解现代电路的两种基础器件，即双极型晶体管（简称晶体管，或三极管，简记BJT）和场效应晶体管（简称场效应管，简记FET）。这两种器件既可以单独运用于电路系统，也可以作为理解现代电路的另一基础器件——集成电路的基础单元，因此，对它们的学习是理解、运用、设计现代电路的基础。 晶体管和场效应管的导电原理虽然有所差异，但它们的导电特性存在类似情况，其中的主要区域均具有受控源的特性。 本章将在上章二极管导电基础上，对晶体管和场效应管的导电机理讲解，初步掌握晶体管和场效应管的导电特性。 ;2.1 双极型晶体管的电量制约关系;; 晶体管的特点; 为了讨论的方便，我们用NPN晶体管和图2-1-3的外加电压偏置结构来研究和测量管子的电阻和控制特性，即电压电流特性。 ;发射结正偏，集电结正偏。;1. 放大或击穿情况（导电原理） ; 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。;晶体管的伏安特性外部测试电路;; 放大区（ VBE? 0.7V， VCE0.3V）; 的物理含义：; ICEO的物理含义：; α表示，电流 iE 对集电极正向受控电流iC的控制能力。; 为方便日后计算，由;;2. 饱和情况（导电原理） ; 我们可以将饱和情况，看成是放大状态下，vCE减小后的情况。 vCE 减小，必