07_07 金属-绝缘体-半导体和MOS反型层 ;MIS体系的机理;—— P型半导体;3) 正电压较小;—— 空间电荷区存在电场;表面 —— x=0相对于体内xd的电势差 —— 表面势 Vs;—— 空间电荷区的载流子主要为电子
半导体内部的载流子为空穴;形成反型层时的能带;形成反型层的条件;反型层中的电子 —— 一边是绝缘层,另一边是势垒;N沟道晶体管 ;2) 栅极G电压达到或超过一定的阈值;—— MOS晶体管处于导通和截止状态
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