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;第五章 温度传感器;温度传感器; 温度是表征物体或系统冷热程度的一个基本物理量。
分子物理学:温度反映了物体内部分子无规则运动的剧烈程度。各种材料的性能都随温度变化,从原理上讲,几乎所有材料都能构成温度传感器。但是由于其本身应具有灵敏度高,稳定性好,对温度以外的物理变化不敏感,不易发生热能引起的化学变化的优点。故温度传感器一般是利用材料的热敏特性来实现热—电转换。
本章重点介绍半导体温度传感器、非接触式温度传感器、光纤温度传感器。; 根据传感器的测温方式,温度基本测量方法通常可分成接触式和非接触式两大类。
接触式:感温元件直接与被测对象相接触,二者进行充分的热交换,使两者具有同一温度,达到测量的目的。(热传导测温)
非接触式:利用物质的热辐射原理,测温敏感元件不与被测介质接触,通过辐射和对流实现热交换,达到测量的目的。(热辐射测温)
; 半导体材料的电阻率对温度十分敏感,可利用半导体材料电阻率随温度变化的特征制成半导体温度传感器,可分为单晶非结型、PN结型、集成温度传感器等。
5.1.1单晶非结型温度传感器
由半导体材料的电子学特征可知,半导体的电阻率主要取决于载流子的浓度和迁移率,而载流子的浓度和迁移率的变化又与温度的变化密切相关。
;5.1 半导体温度传感器 ;5.1 半导体温度传感器 ;5.1 半导体温度传感器 ;5.1 半导体温度传感器 ;5.1 半导体温度传感器 ;5.1 半导体温度传感器 ;5.1 半导体温度传感器 ;5.2 红外温度传感器;5.2 红外温度传感器; (1)红外辐射
红外辐射俗称红外线,它是一种人眼看不见的光线。但实际上它和其他任何光线一样,也是一种客观存在的物质。任何物体,只要它的温度高于绝对零度,就有红外线向周围空间辐射。红外线是位于可见光中红光以外的光线,故称为红外线。它的波长范围大致在0.75~1000μm的频谱范围之内。; 相对应的频率大致在4×1014~3×1011 Hz之间,红外线与可见光、紫外线、x射线、?射线和微波、无线电波一起构成了整个无限??续的电磁波谱。
红外辐射的物理本质是热辐射。物体的温度越高,辐射出来的红外线越多,红外辐射的能量就越强。研究发现,太阳光谱各种单色光的热效应从紫色光到红色光是逐渐增大的,而且最大的热效应出现在红外辐射的频率范围内,因此人们又将红外辐射称为热辐射或热射线。
;(2)红外测温的特点
非接触测温。
反应速度快。;5.2 红外温度传感器;5.2 红外温度传感器; 热电探测器与光电探测器相比:
从光谱响应角度看,热电探测器对各种波长都有响应,光电探测器是一种对波长有选择的探测器,仅对具有足够能量的光子有响应,即存在一个波长极限。光电探测器只对它的长波限以下的一段波长区间有响应。光电探测器有较高的灵敏度和较快的响应速度,但响应光谱不及热探测器宽。;5.2 红外温度传感器;5.2 红外温度传感器;5.2 红外温度传感器;5.2 红外温度传感器;5.2 红外温度传感器; 5.2.2 薄膜热电偶
热探测器有辐射热电偶、热电堆、热敏电
阻及热释电探测器。
薄膜热敏器件是20世纪80年代随着集成电路技术中的薄膜工艺发展,以及人们对温度信息获取向超小型化发展而产生的,它替代传统结构型温度传感器,适合于物体表面和小间隙温度检测。;5.2 红外温度传感器; 1.薄膜热电偶工作原理
薄膜热电偶是根据塞贝克效应,通过测量由两种薄膜材料组合而产生的热电动势来获取被测温度的,如图P181所示:
塞贝克(Seebeck)效应,又称作第一热电效应,它是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。;5.2 红外温度传感器;5.2 红外温度传感器;5.2 红外温度传感器; 其动态响应时间为50μs,线性度好,可在1200℃下长期工作,可快速检测锻模具外壁面、燃气动力机壁面的瞬变温度,此外还可广泛应用于高空大气环境的测量以及沸腾换热表面瞬态温度的快速检测等。 ; 5.2.5 热电堆
热电堆相当于若干薄膜热电偶串接,结电压相加,提高测温的响应度。由于半导体材料的赛贝克系数比金属材料大,所以它更适合作温度传感器。早先的红外热电堆探测器是利用掩膜真空镀膜的方法,将热电偶材料沉积到塑料或陶瓷衬底上获得的,但器件的尺寸较大,且不易批量生产。随着微电子技术的蓬
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