低频电子电路_01(20110918hf)总结.ppt

《低频电子电路》;课程概述;课程结构;第 1 部分 半导体非线性分析　;第 1 部分 半导体非线性分析　;概 述;概 述;概 述;1.1 单一类型半导体的导电性能;无杂质的---本征半导体;1　硅和锗晶体的共价键分析法;　　硅或锗的本征半导体的原子结构，即共价键结构。它们是制造半导体器件的基本材料。; 激发VS复合;　　当原子中的价电子层失去电子时，原子的惯性核带正电，可将其视为空位或空穴带正电。;　　在半导体整体平台中，电子运行轨道可以采用对应的电子能量来表示，因此，有了物质的电子轨道的能级图和能带图。;　　电子在同一能带中不同能级间的运动变迁较为容易；跨能带的运动变迁必需通过能量的较大吸收或释放，即由此跨越禁带来实现。;温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。;漂移与漂移电流; 半导体的电导率; N 型半导体：; P 型半导体;注： N型半导体杂质浓度； P型半导体杂质浓度;晶体二极管结构及电路符号：;　　载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。;P 区与 N 区的交界区域 为PN 结。 ;阻止多子扩散; PN 结的载流子分布; 内建电位差（电量描述）：;1.2.2　有电压时PN 结的导电能力;1.2.2　有电压时PN 结的导电能力;; PN 结——伏安特性方程式（; PN 结——伏安特性曲线（;;因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V(BR)?。;3　PN 结的电容特性; PN 结电容;第 1 章　半导体基础元件与非线性电路; 结构：“PN 结+单一半导体”构成;第 1 章　半导体基础元件与非线性电路; 利用 PN 结的反向击穿特性专门制成的二极管。; 光电二极管属于光生伏特效应器件中与半导体有关的两端元件。;将PN结上的能耗有效地转换成光强发射出来的特种二极管。;1.3　半导体非线性电路的分析基础;1.3.1　电阻特性分析初步与工程分析概念;第 1 章　半导体基础元件与非线性电路;特定工作点Q条件下的小信号电路模型;注意：高频电路中，需考虑 Cj 影响。因高频工作时， 　　　Cj 容抗很小，PN 结单向导电性会因 Cj 的交流 　　　旁路作用而变差。;第 1 章　半导体基础元件与非线性电路;　　一般来说，往往会根据实际的需求来选用元器件模型。其中，简单模型有利于工程上近似快速分析，也适用于手工计算的需要；复杂模型则比较适合计算机分析，也方便进行数值分析对比，以利于电路的最终工程实现和优化。;第 1 章　半导体基础元件与非线性电路;第 1 章　半导体基础元件与非线性电路;2．电位平移电路目标与二极管运用;简单分析：; 依据高等数学的泰勒级数，即;第 1 章　半导体基础元件与非线性电路;1.4　半导体非线性电路的近似分析与电路系统设计的关系;1.5　低频电子电路的学习