3.5双极晶体管的反向特性课题.ppt

3.5 双极晶体管的反向特性; (3) ICBO ：VBC 0 、IE = 0 时的 IC ，; (5) IEBO ：VBE 0 、IC = 0 时的 IE ，; 当发射极开路时，IE = 0 ，但这并不意味着 VBE = 0 。那么VBE 应当为多少呢？根据边界条件知，当 VBC 0 时，在基区中靠近集电结的一侧， ; 基区中的部分少子电子被集电结上的反偏扫入集电区，但因 IE = 0 ，基区少子得不到补充，使在靠近发射结一侧 np(0) np0 ，根据边界条件，这说明发射结上存在一个反向电压，这就是 浮空电势 。; 将 IE = 0 代入方程（3-59a） ， 得：; 3.5.2 共基极接法中的雪崩击穿电压; 对于晶体管，在共基极接法的放大区， ，; 定义：发射极开路时，使 I’CBO →∞ 时的 |VBC | 称为 共基极集电结雪崩击穿电压，记为 BVCBO 。; 3.5.3 共发射极接法中的雪崩击穿电压;;;; 雪崩击穿对共发射极输出特性??线的影响; 3.5.4 发射极与基极间接有外电路时的反向电流与击穿电压; 3.5.5 发射结击穿电压; 3.5.6 基区穿通效应 ; 基区穿通时，进入基区中的势垒区宽度与基区宽度相等。对于突变结，; 在平面晶体管中，NB NC ，势垒区主要向集电区扩展，一般不易发生基区穿通。但可能由于材料的缺陷或工艺的不当而发生局部穿通。