;;课程任务 ;半导体物理学;;
参考资料:
《半导体物理学》上册 叶良修编;
《半导体物理学》 顾祖毅编;
《Physics of Semiconductor Devices》 施敏. ;半导体发展史;;1-负电阻温度系数;2-光电导效应;3-整流现象;4-Hall效应;;5-电子的发现;6-光电池效应;;;半导体物理理论发展;;;;1985年度诺贝尔物理学奖 ;;经典理论—能带;;经典理论—能带;;;;;;半导体器件发展史;
导体: ρ<10-4Ωcm 例如: ρ Cu=10-6Ωcm
半导体:10-3Ωcm< ρ <108Ωcm ρGe=0.2Ωcm
绝缘体:ρ>108Ωcm;百年历史
diode transistor IC技术 Ge集成
MOS器件发明,大规模IC产业化
;计算机的发展史;;计算机经历:电子管 → 晶体管 → 集成电路时代 ;电子管
电极材料:钨、钼;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*; 当时,集成电路问世才6年。摩尔的实验室也只能将50只晶体管和电阻集成在一个芯片上。摩尔当时的预测听起来好
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