发射极耦合逻辑(ECL)门研究报告.ppt

三、 发射极耦合逻辑（ECL）门 了解基本原理;;附：集成注入逻辑（I2L）;;;; 四、 MOS逻辑门 MOS型电路是另一种常用电路，MOS意为金属—氧化物半导体（Metal-Oxide Semiconductor）; MOS管除分N沟道、P沟道外，还分增强型和耗尽型。增强型栅压为0无沟道，耗尽型栅压为0也有沟道。; 2、 N沟道增强型MOS管的工作特点为： 栅极电压VGS小于开启电压VGS（th）时，无沟道形 成，漏极电流ID为0。VDS爱多大多大！（截止区） 栅极电压VGS大于等于开启电压VGS（th）时，沟道形 成，有ID形成，分两种情况： a、VDS较大，大于 VGS — VGS（th），ID随VGS的 增加而增加。VDS 已使 ID 饱和，没什么影响了。 （饱和区） b、VDS较小，小于VGS — VGS（th），ID随VGS的 增加也增加，但与VDS的大小密切相关。 或者 也可以这样说：对某一VGS，ID随VDS线性增加， 且VGS越大，斜率越大，等效电阻越小。 （非饱和区 or 可调电阻区）; 用输出特性曲线说明三个区的情况：; 3、转移特性和跨导gm;4、MOS 管的输入电阻和输入电容;5、直流导通电阻RON; TL是负载管，栅极接漏极，同 为VDD，该管恒导通，且处于 饱和区，因为： VGS — VGS（th）〈 VDS 当输入VI 为低电平时，因小 于开启电压，T0不导通，则 V0 = VDD — VGS（th） 高 当输入VI为高电平时，T0 也导通，输出与两管跨导比有关： gmL V0= ———（VDD —VGS（th） ） 2 gmo = 0 因??? gmo ?? gmL ;E/E MOS 反相器的特点：