第六章：刻蚀探析.ppt

第六章： 刻 蚀;6.1 引 言;刻蚀是在硅片上复制图形的最后图形转移工艺，是集成电路制造的重要工艺之一。 刻蚀主要分三种：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀;刻蚀示意图;刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀 湿法刻蚀 把硅片放在化学腐蚀液里，有选择地去除表面层材料的过程。 干法刻蚀 把硅片放在气体等离子体中，有选择地去除表面层材料的过程。;各向同性刻蚀：侧向与纵向腐蚀速度相同 各向异性刻蚀：侧向腐蚀速度远远小于纵向腐蚀速度，侧向几乎不被腐蚀。 ;湿法刻蚀是各向同性刻蚀，用化学方法，不能实现图形的精确转移，适用于特征尺寸≥3μｍ的情况 干法刻蚀是各向异性刻蚀，用物理和化学方法，能实现图形的精确转移，是集成电路刻蚀工艺的主流技术。 ; 干法刻蚀的优点（与湿法刻蚀比） 1. 刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制 2. 好的CD控制 3. 最小的光刻胶脱落或粘附问题 4. 好的片内、片间、批间的刻蚀均匀性 5. 化学品使用费用低; 干法刻蚀的缺点（与湿法刻蚀比） 1. 对下层材料的刻蚀选择比较差 2. 等离子体诱导损伤 3. 设备昂贵;6.2 刻蚀参数及现象;刻蚀参数 1. 刻蚀速率 2. 刻蚀偏差 3. 选择比 4. 均匀性 5. 刻蚀剖面;1. 刻蚀速率 刻蚀速率是指刻蚀过程中去除表面层材料的速度。 刻蚀速率＝△d