第九章气相沉积技术探析.ppt

第九章 气相沉积技术;1. 薄膜材料的概念 ;;;;;;;薄膜材料的特点 ;2. 薄膜材料分类 ;;;PVD的物理原理;; 1.真空蒸发镀膜; 真空蒸发镀膜;装置 真空系统、蒸发系统、基片撑架、挡板、监控系统;真空蒸发设备主要部分： 1. 真空系统：为蒸发过程提供真空环境 2. 蒸发系统：放置蒸发源的装置，以及加热和测 温装置 3. 基板及加热系统：该系统是用来放置硅片或其 它衬底，对衬底加热及测温装置;2. 工艺方法;常用蒸发源;常用蒸发材料形态;;缺点 （1）坩埚、加热元件以及各种支撑部件可能造成污染； （2）电阻加热的加热功率和加热温度受到限制 （3）不适用于高纯和难熔物质的蒸发;Natural World “Atomic-World”;3、薄膜生长的三种模式：岛状、层状和层状-岛状;岛状生长型薄膜生长的四个阶段： a. 成核：在此期间形成许多小的晶核； b. 晶核长大并形成较大的岛：这些岛常具有小晶体 的形状； c. 岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络 d. 沟道被填充：在薄膜的生长过程中，当晶核一旦形成并达到一定尺寸之后，另外再撞击的离子不会形成新的晶核，而是依附在已有的晶核上或已经形成的岛上。分离的晶核或岛逐渐长大彼此结合便形成薄膜。;2）层状生长（Frank-van