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GaN基HEMT器件研究调研;Contents;HEMT 器件的引出;HEMT简介; 如果三维固体中电子在某一个方向上的运动受到阻挡，被局限于一个很小的范围内,那么,电子就只能在另外两个方向上自由运动,这种具有两个自由度的电子就称为二维电子气（2-DEG）。 当势阱较深时，电子基本上被限制在势阱宽度所决定的薄层内，即形成了（2-DEG）。 特点：电子（或空穴）在平行于界面的平面内自由运动，而在垂直于界面的方向受到限制。;设计HEMT时，需要考虑N型AlxGa1-xAs层的厚度和组分x的值。从减小串联电阻的角度来分析，这层的厚度是越小越好，但是最小厚度是由器件的工作模式来决定。对于耗尽型HEMT，通常该层35-60nm。 提高AlxGa1-xAs的含量x，会使得该层禁带宽度增大，导致导带突变量△Ec增大，从而导致2-DEG浓度变大，但是当x太大时，该晶体缺陷增大，呈现雾状，从而使得表面质量下降，会给工艺带来困难。一般取x=0.3;两种不同禁带宽度的半导体接触以后，由于费米能级不同而产生电荷的转移，直到将费米能级拉平。电子和空穴的转移形成空间电荷区，内建电场的作用使能带发生弯曲；因禁带宽度不同，而产生了尖峰;1960年，安德森(Anderson)预言在异质结界面存在有电子的积累 1969年，Easki和Tsu提出在禁带宽度不同的异质结结构中，离化的施主和自由电子是分离的。这减少了母体对电子的库仑作用，提高了电子迁移率。 1978年，Dingle 在调制掺杂的异质材料中观察到了载流子迁移率增高的现象。随后，在调制掺杂GaAs／n-AlGaAs单异质结结构的实验中，证明了异质界面存在着具有二维行为的电子气(2-DEG) ，而且有高的迁移率． 1980年,一种新调制掺杂GaAs/n—AlxGa1-xAs异质结构场效应管 ，即所谓高电子迁移率晶体管(HEMT)问世． ;GaN基材料的引出;GaN基HEMT;2010年：100-nm-Gate (Al,In)N/GaN HEMTs Grown on SiC With FT = 144 GHz； ;衬底清洗：（H2SO4：H2PO4=3：1）中刻蚀约20min，去离子水冲洗，N2气吹干； 衬底预热：800℃，暴漏在氨流中5-15min完成氨化； 缓冲层AlN沉积：衬底温度800℃，铝源温度1070℃，氮源氨气的流量16SCCM； 生长i-GaN：衬底温度降到700℃，镓源970℃，氨气流量35SCCM（5*E16cm-3）； 生长隔离层AlGaN：衬???温度800℃，Ga源温度970℃，Al源温度1070℃，氨气9SCCM，它可以阻止施主层掺杂的硅原子扩散进入沟道界面，同时提供N-AlGaN的生长条件； 生长 N-AlGaN：硅源温度1230℃ ;典型AlGaN/GaN-HEMT器件制备工艺;热点：如何提高沟道内的2DEG的面电荷密度和解决电流崩塌问题;GaN 器件商业化遇到的困难;　GaN 的部分衬底材料特性;Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 075004;2.提高Breakdown Voltage等器件性能;a recessed-gate Al2O3 /AlGaN/GaN normally-OFF MOS-HEMT with reduced OFF-state leakage currents, lower current collapse, and high blocking voltages achieved simultanesously on an 8 in. Si substrate.;BV improvement by using a new Schottky-contact technology;通过轻微的刻蚀AlGaN层实现降低欧姆接触，提高输出功率;100-nm-Gate (Al,In)N/GaN HEMTs Grown on SiC With FT = 144 GHz;结合MEMS，Sensor方面的应用（交叉学科）：;The detection sensitivity of the C-HEMT stress sensor can be easily tuned by design of the Schottky ring gate area.;Microelectronic Engineering 88 (2011) 2424–2426;Thanks for your attention！;;Physical Properties of GaN;为啥研究HEMT;金属栅极与AlGaAs层形成肖特基势垒，n型的AlGaAs费米能级高于栅极金属，电子从半导体流向金属，AlGaAs形成空间电荷区。;隔离层厚度大于7nm时，杂质中心的库