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§5.0 引言
§5.1 真空蒸发
§5.4 溅射 ;一、薄膜特性
二、薄膜生长过程
三、薄膜淀积方式; 薄膜是指一种在衬底上生长的薄固体物质。如果一种固体物质具有三维尺寸，那么薄膜是指一维尺寸远远小于另外两维上的尺寸。; 半导体制造中的淀积是指材料以物理或化学方式沉积在晶圆表面上的工艺。在集成电路制备中，很多薄膜材料由淀积工艺形成。; 好的台阶覆盖能力
好的厚度均匀性
填充高深宽比间隙的能力
高纯度和高密度
可控制的化学剂量
对衬底材料或下层膜好的粘附性
好的电学特性
高度的结构完整性和低的膜应力;均匀厚度的台阶覆盖能力;*; 一个小间隙（如槽或孔）的深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值。高深宽比间隙的典型值为3:1。;*; 高纯度意味着膜中没有影响膜质量的化学元素或原子，以保证薄膜执行预定的功能；要避免沾污和颗粒。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;一、真空蒸发的基本原理
二、真空蒸发系统的基本组成
三、蒸发淀积过程
四、蒸发源;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;一、溅射过程和基本步骤
二、溅射特性的主要参数
三、溅射方式;*;*;例：简单平行金属板直流二极管溅射系统;*;*;*;*;*;*;*;不同靶材具有不同的原子逸出能量；
重元素靶材的原子有较高的逸出能量，轻元素靶材的原子有较高的逸出速度，而溅射率高的靶材原子的平均逸出能较低； ;*;*;*; 直流溅射、RF溅射、磁控溅射和离子束溅射是半导体制造中主要应用的溅射方式。;;*;*; 在压力为20~40毫托帕的RF等离子体中，将溅射的金属离子化。 ; 直流溅射主要用于金属淀积；; 溅射装备系统的最新构成是多腔集成设备：;;*;*
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