场效应管及其放大电路重点.pptVIP

第3章 场效应管及其放大电路;半导体三极管(场效应管）图片;半导体三极管图片;;功耗低 集成度高（单位面积上容纳的门电路数量远大于双极型三极管） 输入阻抗大（107～1012?） 热稳定性好（与环境温度关系不大） 抗干扰能力强;FET的分类：;3.1 结型场效应管(JFET);P沟道结型场效应管;当N沟道JFET工作时，需：;夹断;1、低频互导（跨导）gm UDS 为定值时, 漏极电流的 微小变化Δi D 与对应的输入电 压变化量ΔuGS 之比。该参数 相当于BJT的电流放大倍数β。 2 、 夹断电压UGS (off) 在漏源电压UDS 为定值时, 当ID 小到近于零的UGS 值, 即 UGS ≤ uGS (off) 时, 截止; UGS uGS (off) 时, 导通。 3、饱和漏电流IDSS 在uGS =0, 时的漏极电流。 通常令uGS =0， uDS =10V时,测得的i D 即为IDSS 。;;恒流区的特点： △iD /△vGS=gm≈常数 即：△iD =gm△vGS （放大原理）;;3.2 金属－氧化物－半导体（绝缘栅型）场效应管;; 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。; 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。;绝缘栅场效应管;绝缘栅场效应管;结型场效应管; 思考：;3.4 场效应管放大电路;例 分压式偏置电路;漏极电源VDD经分压电阻Rg1和Rg2分压后，通过Rg3供给栅极电压Vg，则;;VDS =VDD- ID (Rd + R );① 画出放大电路的交流小信号等效电路 ;FET的低频小信号模型;;② 求电压放大倍数;③ 求输入电阻;双极型和场效应型三极管的比较;3.12 已知电路参数如图所示，FET工作点上的互导gm = 1ms，设rd ＞＞Rd。（1）画出电路的小信号模型；（2）求电压增益Au；（3）求放大器的输入电阻Ri。;解（2） 解（3） ;3.13 已知电路参数如图所示，FET工作点上的互导gm = 0.9ms，求电压增益Au；输入电阻Ri,，输出电阻R。