第4章：氧化课题.pptVIP

离子注入;第二章 氧 化;2.1 引 言;2.2 氧化原理;氧化系统;卧式高温炉;立式高温炉;立式炉系统;高温炉的组成 1、工艺腔 2、硅片传输系统 3、气体分配系统 4、温控系统 5、尾气系统;氧化过程;氧化过程的两个阶段;氧化物生长速率计算公式（不常用）;氧化物生长曲线（常用）;影响二氧化硅生长的因素; 热生长SiO2 – Si 系统中的实际电荷情况 ;在实际的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷： 1. 可动电荷： 指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。 2. 固定电荷：指位于SiO2 – Si 界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。 3. 界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。 4. 陷阱电荷：由辐射产生。;在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3％以下）以改善SiO2 – Si的界面特性。其优点： 1、氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累。 2、氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污;不掺氯热氧化层 1. 可动电荷（主要是Na＋离子）密度： 3×1012～1×1013/cm2 2. 固定电荷密度： 1×1012/cm2 掺氯热氧化层 1. 可动电荷（主要是Na＋离子）密度： 2×1010～1×1011/cm2 2. 固定电荷密度： （1～3）×1011/cm2;传统湿氧氧化工艺;氢氧合成湿氧氧化工艺;氧化消耗硅;选择性氧化：常用于硅的局部场氧化LOCOS （LOCal Oxidation of Silicon）;三种热氧化层质量对比;1. 结构及质量：热生长的比沉积的结构致密， 质量 好。 2. 成膜温度：热生长的比沉积的温度高。 可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。 3. 硅消耗：热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。 ;常规氧化工艺流程;SiO2对杂质的掩蔽特性;SiO2作掩蔽层的基本要求;氧化生长速率的物理意义;氧化模型(D-G Model)的两种极限情况;硅的线性氧化(Linear Regimes);硅的抛物线氧化(Parabolic Regimes);*;*;氧化层厚度及主要用途;常规氧化程序曲线; SiO2层的质量检查;■ SiO2 层颜色与厚度的关系;■ SiO2 与Si的目检：颜色、亲疏水性;■ 膜厚仪（干涉法）;■ 椭偏仪 - 测量薄膜厚度非常精确 - 原理类似膜厚仪，只是测量的是反射光平行 和垂直方向偏振强度的变化 ■ 台阶仪 - 需要刻蚀掉部分薄膜才能测量 - 竖直方向台阶测量非常精确;4.3 SiO2结构、性质和用途;物理性质 ;SiO2的化学性质 SiO2 的化学性质非常稳定，仅被 HF 酸腐蚀 ;SiO2在集成电路中的用途 1. 栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长） 2. 场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积） 3. 保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长） 4. 注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂 （热生长） 5. 垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长） 6. 注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长） 7. 层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积）;1. 栅氧层： 热生长方法形成（干法）;2. 场氧层 STI（Shallow Trench Isolation） 用CVD方法形成;2. 场氧层 LOCOS隔离 用热生长法形成（干法-湿法-干法掺氯）;3. 保护层： 保护有源器件和硅表面免受后续工艺的影响 用热生长法形成;4. 注入阻挡层： 作为注入或扩散掺杂杂质到硅中的掩蔽材料 用热生长法形成 ;5. 垫氧层 用于减小氮化硅与硅之间的应力 用热生长法形成;6. 注入缓冲层： 用于减小注入损伤及减小沟道效应 用热生长法形成 ;7. 层间介质： 用作金属连线间的绝缘层 用CVD方法形成;氧化层应用的典型厚度;氧化硅薄膜生长 90nm工艺栅氧厚度约2nm 1. 降低温度：可减小膜厚到5nm，厚度均匀性差 2. 降低气压：可减小膜厚到3-4nm，厚度均匀性差 3. 快速热氧化（RTO，Rapid Thermal Oxidation): 可减小膜厚到1.8nm，高温膜质量好;2.4 快速热处理;RTP的应用 1. 注入退火以减小注入损伤和杂质电激活 2. 沉积氧化膜增密 3. 硼磷硅玻璃（BPSG）回流 4. 阻挡层退火（如TiN） 5. 硅化物形成（如TiSi2） 6. 接触合金;常规炉与