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半导体物理习题四 2011年11月23日 姓名 学号 习题请直接做在此页面上， HYPERLINK mailto:完成后发往luming.sjtu42@ 完成后发往luming.sjtu42@ 。 试推导 PN 结的自建电压方程 解：pn 结势垒高度正好补偿了 p 区和 n 区费米能级之差，使平衡 pn 结的费米能级处处相等，因此 两式相除并取对数，得 由于 2，试导出 PN 结在给定电流密度条件下，正向电压 Uf 的温度系数表式。已知： 式中Eg 为能带间隙，k 为布尔兹曼常数，C1 为与温度 T 无关的常数， ni 为本征载流子浓度。 解：根据肖克莱方程 施加正向电压（ 譬如 ≥ 0.6V）时，指数项明显大于 1，上式可近似改写为 两边同时对 T 求导，整理后有 Is 是结的反向饱和电流，可表为 代入 ni 已知表式，并把与温度 T 不相关的量合并成比例常数 C2，则 Is 可重新写成 2）式代入（1）式得 此即 PN 结正向电压 Uf 的温度系数 在室温（ T = 300°K ），Uf 为 0.6V 。硅的能隙 Eg = 1.2eV 条件下，可得硅 PN 结正向电压的温度系数为 3，如硅平面突变结的掺杂浓度为 试求自建电势差和施加 5V 反偏电压时的耗尽层宽度。 解：已知电子电荷