第二章氧化重点.pptVIP

集成电路制造技术第二章 氧化;主要内容;应用在DRAM中的SiO2;SiO2的作用（用途）;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1.2 主要性质 ①密度：表征致密度，约2.2g/cm3，与制备方法有关。 ②折射率:表征光学性质的参数， 5500?下约为1.46， 与制备方法有关。 ③电阻率：与制备方法及杂质数量有关，如干氧在 1016Ω·cm。 ④介电强度：表征耐压能力，106 —107 V/cm。 ⑤介电常数:表征电容性能， εSiO2=3.9 。 ⑥熔点：无固定熔点， 1700℃。（不同制备方法，其 桥键O数量与非桥键数量比不同）;2.1 SiO2的结构与性质;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.3 硅的热氧化生长动力学;2.3.1 硅的热氧化;2）水汽氧化：高温下，硅片与水蒸汽反应 2H2O+Si SiO2+2H2↑ 特点：氧化速度快； 氧化层疏松－质量差； 表面是极性的硅烷醇--易吸水、易浮胶。 ;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力