光电检测技术与应用-3光电检测器件的工作原理重点.pptVIP

光电检测技术及应用第三章 光电检测器件的工作原理;上一章主要内容回顾;光的基本性质;光的基本性质;辐射度的基本物理量;辐射度的基本物理量;基本辐射度量的名称、符号和定义方程;光度量的最基本单位;光度的基本物理量;晴天阳光直射地面照度约为100000lx 晴天背阴处照度约为10000lx 晴天室内北窗附近照度约为2000lx 晴天室内中央照度约为200lx 晴天室内角落照度约为20lx 阴天室外50—500lx 阴天室内5—50lx 月光（满月）2500lx 日光灯5000lx 电视机荧光屏100lx 阅读书刊时所需的照度50~60lx 在40W白炽灯下1m远处的照度约为30lx 晴朗月夜照度约为0.2lx 黑夜0.001lx;一、光电检测器件的物理基础 ;一、光电检测器件的物理基础 ;一、光电检测器件的物理基础 ;一、光电检测器件的物理基础 ;光电效应： 辐射光照射引起材料的电学性质变化，如电导率改变、发射电子、产生感应电动势等。 ???电效应是德国物理学家赫兹发现的，爱因斯坦给出正确解释。光电效应的深入研究对发展量子理论起了根本性作用。 ;;一、光电检测器件的物理基础 ;光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。;一、光电检测器件的物理基础 ;2.1?光电导效应 ;导体、半导体和绝缘体;半导体的特性;本征和杂质半导体;平衡和非平衡载流子;非平衡载流子的产生;非本征光电导效应(杂质光电导效应) 本征光电导效应;能带理论： 固体中运动电子的能量谱是由一系列准连续的具有一定宽度的能带(称为允带)所组成。两个相邻的允带之间的区域为不能被电子占据的能量禁区，称为禁带。禁带所覆盖的能量区间即为禁带宽度。;光照激发电子由价带跃过禁带进入导带的条件是：;光电导的弛豫; 光电导增益是表征光电导器件特性的一个重要参数。 它表示长度L的光电导体在电压U下，光照产生的光生载流子形成的外电流与光生载流子在内部形成的光电流之比。;典型结构型式： 绝缘基底、光电导材料薄膜、电极、引线、带有窗口的金属或塑料外壳内。; N型光电半导体——施主能级中的电子跃迁到导带中去，电子为主要载流子，增加了自由电子的浓度。 P型光电半导体——价带中的电子跃迁到受主能级，与受主能级中的空穴复合，而在价带中留有空穴，作为主要载流子参加导电。增加了空穴的浓度。　　　　　　　　;★ 电离能级比禁带宽度小很多； ★ 非本征的光谱响应波长比本征光电导的长； ★ 杂质原子数目少，杂质光电导效应比本征光电导微弱。; 光照射PN结，在PN结两端出现电动势，称为光生电动势，这种现象就是光生伏特效应，简称光伏效应。;PN结的光生电动势： 无光照时，PN结存在内部自建电场E； 当光照射PN结时，载流子在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子。 载流子的移动产生附加电动 势，此电动势称为光生电动势。;光电流： 通过负载构成闭合回路，就会有电流。 辐射光不停止，电流不消失。;光照引起材料温度变化，进而使材料性质变化。;1.光热释电效应： 是指光照使介质产生温生，介质的极化强度随温度变化，引起表面电荷变化的现象。;热释电效应的特征： ★ 热电材料； ★ 垂直于电极化方向的材料表面出现面束缚电荷； ★ 温度升高，极化强度减小，电荷减少，似于释放电荷； ★ 温度升高到Tc值时，自发极化突然消失；（居里温度点 ★ 光照强度变化，热电体的温度发生变化，面电荷变化。 ;注意： 热释电探测器是一种交流或瞬时响应的器件。 热释电效应是指电介质的极化强度随温度变化，释放表面吸附的部分电荷现象。 光热释电效应是指光照引起电介质的温度变化，随之极化强度变化，释放表面吸附的部分电荷现象。 典型器件： 红外探测器、热电激光量热计、夜视仪、光谱仪。;红外热释电器件： 是对红外光敏感的光热释电器件。 采用高热电系数的材料，如锆(gao)钛酸铅系陶瓷、钽(tan)酸锂、硫酸三甘钛等。 敏感红外线能力弱、输出电压信号微弱：为了提高灵敏度、增大探测距离，一般在探测器的前方装设菲涅尔透镜，可将信号放大70分贝以上，敏感距离可达10~20米。为了加大输出信号，常在探头内加场效应管放大。; 人体发出的红外线波长为8-12微米，人体的体温一般在37度。 被动式红外探头就是靠探测人体发射的红外线来工作，人体发射的红外线通过菲尼尔滤光片增强后聚集到热释电元件上。 菲尼尔滤光片具有不同的焦距（感应距离），从而产生不同的监控视场，